[发明专利]一种新型可穿戴存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210896282.2 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115172585A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王天宇;孟佳琳;李庆轩;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 穿戴 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种新型可穿戴存储器制备方法，其特征在于，
包括以下步骤：
准备第一织物型金属线作为底电极；
在所述第一织物型金属线表面包覆一层金属氧化物薄膜，作为阻变功能层；
在具有金属氧化物薄膜的第一织物型金属线上缠绕第二织物型金属线作为顶电极，
在电压的激励下，金属氧化物薄膜中形成氧空位，迁移积累形成导电通道，实现电阻由高阻态向低阻态的转变；在相反的电压下，氧空位导电通道断裂，器件由低阻态转变回高阻态。
2.根据权利要求1所述的新型可穿戴存储器制备方法，其特征在于，
还包括以下步骤：
利用原子层沉积技术在器件表面覆盖一层惰性氧化物薄膜作为保护层。
3.根据权利要求1或2所述的新型可穿戴存储器制备方法，其特征在于，
所述第一织物型金属线为Au，Pt，Al，Pd，Ti。
4.根据权利要求1或2所述的新型可穿戴存储器制备方法，其特征在于，
所述金属氧化物薄膜为HfO2，Al3O2，TiO2，ZrO2，Ta5O2，ZnO，NiO。
5.根据权利要求1或2所述的新型可穿戴存储器制备方法，其特征在于，
所述第二织物型金属线为Al，Ti，Ni，Ag。
6.一种新型可穿戴存储器，其特征在于，
包括：
第一织物型金属线，作为底电极；
金属氧化物薄膜，包覆在所述第一织物型金属线表面，作为阻变功能层；
第二织物型金属线，缠绕在具有金属氧化物薄膜的第一织物型金属线上，作为顶电极，
在电压的激励下，金属氧化物薄膜中形成氧空位，迁移积累形成导电通道，实现电阻由高阻态向低阻态的转变；在相反的电压下，氧空位导电通道断裂，器件由低阻态转变回高阻态。
7.根据权利要求6所述的新型可穿戴存储器，其特征在于，
所述第一织物型金属线为Au，Pt，Al，Pd，Ti。
8.根据权利要求6所述的新型可穿戴存储器，其特征在于，
所述金属氧化物薄膜为HfO2，Al3O2，TiO2，ZrO2，Ta5O2，ZnO，NiO。
9.根据权利要求6所述的新型可穿戴存储器，其特征在于，
所述第二织物型金属线为Al，Ti，Ni，Ag。
10.根据权利要求6所述的新型可穿戴存储器，其特征在于，
所述第一织物型金属线直径为50μm～200μm，所述第二织物型金属线的直径为50μm～200μm。
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