[发明专利]一种P型HBC电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种P型HBC电池结构，其特征在于：它包括P型硅衬底（1），所述P型硅衬底（1）的背面中部设有一块P型重掺杂区（2），所述P型硅衬底（1）的正面和背面均设有非晶硅本征层（3），所述P型硅衬底（1）的背面的非晶硅本征层（3）的外侧设有N型非晶硅掺杂层（4），所述P型硅衬底（1）的正面的非晶硅本征层（3）的外侧设有SiN_X减反膜（5）；所述N型非晶硅掺杂层（4）的外侧设有TCO导电膜（6）；所述TCO导电膜（6）的外侧设有若干N型Ag电极（7），所述TCO导电膜（6）上设有一个槽口，槽口的深度贯穿TCO导电膜（6）和N型非晶硅掺杂层（4），使得P型重掺杂区（2）的底部裸露，所述P型重掺杂区（2）的底部连接P型Ag电极（8），使用P型低温银浆料和P型重掺杂区（2）的铝浆料实现欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一种P型HBC电池结构，其特征在于：所述P型重掺杂区（2）的宽度为20~60微米，高度为1~20微米。

3.根据权利要求1所述的一种P型HBC电池结构，其特征在于：所述N型Ag电极（7）使用N型低温银浆与TCO导电膜（6）形成连接。

4.根据权利要求1所述的一种P型HBC电池结构，其特征在于：所述槽口宽度大于P型重掺杂区（2）的宽度。

5.一种权利要求1所述的P型HBC电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下内容：

步骤一、硅片清洗：选取P型硅片，对其进行制绒、清洗处理；硅片经高效清洗后制绒，硅片的正面形成绒面层；

步骤二、印刷铝浆：

在硅片的背面单面印刷，浆料为铝浆，印刷的位置为电池的P型重掺杂区；

步骤三、高温烧结：

将上述印刷后的硅片放入炉体中，在炉体中进行烧结，铝浆与硅片基体形成欧姆接触，形成P型重掺杂区域；

步骤四、硅片清洗：

将上述烧结后的硅片高效清洗，烧结后的铝浆依然裸漏于硅片表面，铝浆的厚度确保能和低温银浆形成接触；

步骤五、双面本征层及N型非晶硅掺杂层镀膜：

通过PECVD技术在电池片的正背面上均分别镀上本征非晶硅薄膜，形成非晶硅本征层；通过PECVD技术在电池片的背面镀上N型非晶硅掺杂层；

步骤六、减反膜制备：

通过PECVD方法在电池片的正面镀上SiN_X减反膜；

步骤七、TCO导电膜沉积：

通过采用PVD设备技术在电池片上镀透明的TCO导电膜；

步骤八、激光开槽 ：

在电池片背面的P型重掺杂区的底部激光开槽，激光消融TCO导电膜、N型非晶硅掺杂层及非晶硅本征层，将铝浆料裸露在硅片表面；

步骤九、电极印刷及烧结：

通过丝网印刷工艺分别在电池背面印刷P型银浆和N型银浆，P型和N型的浆料均为低温银浆料；通过低温烧结后，N型低温银浆与TCO膜层形成连接；通过低温烧结后，P型低温银浆料和铝浆料实现欧姆接触；

步骤十、分选测试：

通过分选测试挑选需电池片。

6.根据权利要求5所述的一种P型HBC电池结构的制备方法，其特征在于：步骤二中铝浆印刷浆料的宽度为20~60微米，高度为1~20微米。

7.根据权利要求5所述的一种P型HBC电池结构的制备方法，其特征在于：步骤三中在炉体中的烧结温度为300～900℃。

8.根据权利要求5所述的一种P型HBC电池结构的制备方法，其特征在于：步骤五中非晶硅本征层的膜层厚度为5~10nm，N型非晶硅掺杂层的厚度为5~15nm。

9.根据权利要求5所述的一种P型HBC电池结构的制备方法，其特征在于：步骤八中激光开槽的宽度为100微米。

10.根据权利要求5所述的一种P型HBC电池结构的制备方法，其特征在于：步骤八中将铝浆料裸露在硅片表面高度为5微米。