[发明专利]钙钛矿量子点、纳米片、半导体传感器的制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，包括：

匹配带隙需求，选择卤化铅；

采用常温反溶剂扩散的方法，基于所述卤化铅制备卤化铅前驱体；

制备油酸铯前驱体；

将所述卤化铅前驱体加入到所述油酸铯前驱体中，并对所得化合物进行离心提纯，得到所述钙钛矿纳米片。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，所述采用常温反溶剂扩散的方法，基于所述卤化铅制备卤化铅前驱体，包括：

将所述卤化铅溶解于至少包括异丙醇、油酸和油胺的混合溶剂中，得到所述卤化铅前驱体。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备油酸铯前驱体，包括：

将乙酸铯溶解于至少包括环己烷和异丙醇的混合溶剂中，以得到所述油酸铯前驱体。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，在所述油酸铯前驱体及所述卤化铅前驱体中，反应中铯离子与铅离子的摩尔比为1:1～5:1。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，所述匹配带隙需求，选择卤化铅，包括：

根据不同颜色可见光对应量子点的带隙，提供溴化铅、碘化铅或氯化铅中的一种为所述卤化铅。

6.一种钙钛矿半导体传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内形成有信号器件；

在所述衬底上形成像素界定层；所述像素界定层具有多个开口，所述开口用于限定感光区域；所述信号器件暴露于所述开口内；

于所述开口内填充光敏材料；所述光敏材料包括采用如权利要求1至5中任一项所述的制备方法制备的钙钛矿纳米片；

沿所述光敏材料远离所述衬底的方向，依次形成顶部电极及滤光层，所述顶部电极至少覆盖所述光敏材料。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成像素界定层，包括：

在所述衬底上形成像素界定材料层；

于所述像素界定材料层远离所述衬底的表面形成掩膜层；

基于所述掩膜层对所述像素界定材料层进行刻蚀，以形成多个所述开口并暴露所述信号器件，将未被刻蚀的所述像素界定材料层作为所述像素界定层。

8.根据权利要求6所述的钙钛矿半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述于所述开口内填充光敏材料之前，所述制备方法还包括：

于所述开口内形成底部电极，所述底部电极与所述信号器件对应相连；

所述于所述开口内填充光敏材料，包括：

在所述底部电极远离所述衬底的表面形成所述光敏材料。

9.根据权利要求8所述的钙钛矿半导体传感器的制备方法，其特征在于，采用气相沉积工艺、旋转涂覆工艺或喷墨打印工艺，于所述开口内填充所述光敏材料。

10.一种钙钛矿半导体传感器，其特征在于，所述钙钛矿半导体传感器采用如权利要求6至9中任一项所述的制备方法制备而得。