[发明专利]像素结构、图像传感器及终端在审

专利信息
申请号: 202210899224.5 申请日: 2022-07-28
公开(公告)号: CN115064562A 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 杜重凯;秋沉沉;钱俊 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/355;H04N5/369
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 刘畅
地址: 201314*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 图像传感器 终端
【权利要求书】:

1.一种像素结构,其特征在于,包括:

衬底;

第一导电类型的浮置扩散区,形成在所述衬底中;

至少两个面积不同的第二导电类型的感光区,形成在所述衬底中,所有的所述感光区围绕所述浮置扩散区分布且共用所述浮置扩散区;

隔离区,设置在位于所述浮置扩散区同一侧的相邻所述感光区之间的衬底中;

传输栅,与各个所述感光区一一对应且设置在各个所述感光区的衬底上。

2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所有的所述感光区的面积呈递减或递增的梯度关系。

3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,各个所述感光区的形状均为圆形,且面积最大的所述感光区位于所述浮置扩散区的一侧,其余的所述感光区位于所述浮置扩散区的另一侧。

4.如权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述浮置扩散区的形状为一段圆弧,且所述圆弧以所述面积最大的所述感光区的圆心为圆心,且半径大于所述面积最大的所述感光区的半径。

5.如权利要求3所述的像素结构,其特征在于,各个所述感光区的直径分别为0.5μm~10μm;和/或,所述隔离区的线宽至少为0.2μm。

6.如权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述隔离区为第一导电类型的离子掺杂区。

7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,各个所述传输栅均位于相应的所述感光区靠近所述浮置扩散区的一侧上。

8.一种图像传感器,其特征在于,包括权利要求1-7任一所述的像素结构。

9.如权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,还包括:

读出逻辑电路,与所述像素结构的浮置扩散区一一对应设置并电性连接所述浮置扩散区,以使得所述像素结构中共用同一个所述浮置扩散区的感光区共用同一个所述读出逻辑电路,进而获取共用同一个所述浮置扩散区的各个感光区的图像;

图像处理电路,电性连接所述读出逻辑电路,用于将所述读出逻辑电路所获取的共用同一个所述浮置扩散区的各个感光区的图像进行合成,得到所需的HDR图像。

10.一种终端,其特征在于,包括如权利要求8或权利要求9所述的图像传感器。

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