[发明专利]一种双极化相控阵AiP天线

权利要求书

1.一种双极化相控阵AiP天线，包括由若干LTCC材质的介质基板构成的陶瓷体，其特征在于，介质基板三下方的介质基板五布设有两个阻抗变换结构(701、702)，而上方的部分介质基板上布设有两组呈正交布置且桥式交叉的金属带线；两个相邻的贴片振子(102,、103)作为第一组振子，分别通过金属柱(301、302)向上与两组金属带线的一端连接，两组金属带线的另一端分别通过第一金属过孔(404、401)向下与两个阻抗变换结构(701、702)的第一端连接；另外两个相邻的贴片振子(101、104)作为第二组振子，其底部与介质基板四之间均布设有以第一金属过孔(401、404)为中心的类同轴结构，所述介质基板四布置在介质基板三、五之间，第一组振子的底部与介质基板四之间布设有所述类同轴结构的对称耦合结构；两个所述阻抗变换结构(701、702)的第二端向下分别通过类同轴馈电结构连接到介质基板六进行输出馈电，所述介质基板六的底部耦合集成有校正网络。

2.根据权利要求1所述的一种双极化相控阵AiP天线，其特征在于，第二组振子的底部均与介质基板四之间连接有m个第二金属过孔(600)，m个第二金属过孔(600)以第一金属过孔(401、404)周向均匀分布构成所述类同轴结构，所述第一金属过孔与第二组振子中的贴片振子、介质基板四之间分别采用空气介质阻隔。

3.根据权利要求2所述的一种双极化相控阵AiP天线，其特征在于，所述m的取值范围为3～6。

4.根据权利要求2所述的一种双极化相控阵AiP天线，其特征在于，所述m＝5。

5.根据权利要求1所述的一种双极化相控阵AiP天线，其特征在于，所述类同轴结构结构的特性阻抗为30欧姆，类同轴馈电结构的特性阻抗为50欧姆，所述阻抗变换结构(701、702)用于实现从30欧姆到50欧姆的过渡变换。

6.根据权利要求1或4所述的一种双极化相控阵AiP天线，其特征在于，所述阻抗变换结构(701、702)为弯折的带状线，两个阻抗变换结构(701、702)的物理长度相等。

7.根据权利要求6所述的一种双极化相控阵AiP天线，其特征在于，两个阻抗变换结构(701、702)的第二端分别通过第三金属过孔(801、802)连接到介质基板六，并与介质基板六采用空气介质阻隔，所述介质基板六布设在介质基板五的下方；两个阻抗变换结构(701、702)的第一端、第二端处均设有n个连接在介质基板四、六之间的第四金属过孔(900)，n个第四金属过孔(900)以所述第一金属过孔(401、404)、第三金属过孔(801、802)为中心周向均匀分布，第三金属过孔(801、802)与n个第四金属过孔(900)构成所述类同轴馈电结构。

8.根据权利要求1所述的一种双极化相控阵AiP天线，其特征在于，所述介质基板六的底部开设有两个耦合矩形槽(04)，并通过耦合矩形槽(04)与校正网络耦合集成，所述耦合矩形槽(04)呈斜45°设置。

9.根据权利要求1所述的一种双极化相控阵AiP天线，其特征在于，所述陶瓷体在四个贴片振子(101、102、103、104)的四周布置有若干镂空腔体(03)。