[发明专利]显示装置及其工作方法以及电子设备在审
| 申请号： | 202210904916.4 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN115359757A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 川岛进;楠纮慈;渡边一德;丰高耕平;高桥圭;林健太郎;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/3233 | 分类号： | G09G3/3233;G09G3/3225;G09G3/3291;G09G3/20;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;李啸 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 工作 方法 以及 电子设备 | ||
1. 一种显示装置，包括：
像素；和
电路，
其中，所述像素包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容器、第二电容器和显示元件，
其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第一电容器的一个电极，
其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第一布线，
其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第一电容器的另一个电极，
其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二布线，
其中，所述第一电容器的所述一个电极电连接到第三晶体管的栅极，
其中，所述第三晶体管的所述栅极电连接到所述第二电容器的所述一个电极，
其中，所述第三晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二电容器的另一个电极和所述显示元件的一个电极，
其中，所述电路电连接到所述第一布线和所述第二布线，
其中，所述电路被配置成向所述第一布线提供第一图像信号，
其中，所述电路被配置成向所述第二布线提供参考电位，并且
其中，所述电路被配置成向所述第二布线提供第二图像信号。
2. 一种显示装置，包括：
像素；和
电路，
其中，所述像素包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容器、第二电容器和显示元件，
其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第一电容器的一个电极，
其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第一布线，
其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第一电容器的另一个电极，
其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二布线，
其中，所述第一电容器的所述一个电极电连接到所述第三晶体管的第一栅极，
其中，所述第三晶体管的所述第一栅极电连接到所述第三晶体管的第二栅极和所述第二电容器的一个电极，
其中，所述第三晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二电容器的另一个电极和所述显示元件的一个电极，
其中，所述电路电连接到所述第一布线和所述第二布线，
其中，所述电路被配置成向所述第一布线提供第一图像信号，
其中，所述电路被配置成向所述第二布线提供参考电位，并且
其中，所述电路被配置成向所述第二布线提供第二图像信号。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述参考电位是具有与外光的照度对应的值的电位。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，当所述外光的所述照度越高时，所述参考电位越低。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述参考电位是负电位。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述第一电容器的电容值高于所述第二电容器的电容值。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述显示元件是有机EL元件。
8.根据权利要求1或2所述的显示装置，
其中，所述第一晶体管在其沟道形成区域中包括金属氧化物，
其中，所述金属氧化物包括In、Zn和M，并且
其中，M是Al、Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf。
9. 一种电子装置，包括：
根据权利要求1或2所述的显示装置；以及
摄像机。
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