[发明专利]像素

权利要求书

1.一种像素，其中，所述像素包括：

发光元件，包括阳极和阴极；

第一晶体管，连接在所述阳极与第一电力线之间，其中，所述第一晶体管通过节点的电压来开关；

第二晶体管，连接在与所述第一电力线连接的所述第一晶体管与数据线之间，其中，所述第二晶体管通过写入扫描信号来开关；

第三晶体管，连接在所述节点与所述阳极之间，其中，所述第三晶体管通过补偿扫描信号来开关；以及

绝缘层，覆盖所述第二晶体管和所述第三晶体管，

其中，第一凹槽被限定在所述绝缘层的与所述第三晶体管相邻的部分中。

2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述绝缘层包括：

缓冲层，设置在基底上；以及

第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层，顺序地层叠在所述缓冲层上，

其中，所述第二晶体管设置在所述缓冲层上，

其中，所述第二绝缘层设置在所述第二晶体管上，

其中，所述第三晶体管设置在所述第三绝缘层上，并且

其中，所述第五绝缘层设置在所述第三晶体管上。

3.根据权利要求2所述的像素，其中，所述第一凹槽被限定为穿过所述第四绝缘层和所述第五绝缘层的彼此重叠的部分。

4.根据权利要求3所述的像素，其中，所述第三晶体管包括：

源极电极、漏极电极和有源区，所述有源区在所述源极电极与所述漏极电极之间，其中，所述源极电极、所述漏极电极和所述有源区设置在所述第三绝缘层上；以及

栅极电极，设置在所述第四绝缘层上，

其中，所述第四绝缘层设置在所述第三绝缘层上以覆盖所述源极电极、所述漏极电极和所述有源区，

其中，所述第五绝缘层设置在所述第四绝缘层上以覆盖所述栅极电极，并且

其中，所述第一凹槽被限定在限定所述源极电极和/或所述漏极电极的半导体图案的一部分上。

5.根据权利要求4所述的像素，其中，所述第一凹槽暴露所述半导体图案的所述一部分。

6.根据权利要求3所述的像素，其中，第二凹槽被限定在所述绝缘层的与所述第三晶体管相邻的部分中，所述第二凹槽比所述第一凹槽深。

7.根据权利要求6所述的像素，其中，所述第二凹槽被限定为穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层、所述第四绝缘层和所述第五绝缘层的彼此重叠的部分。

8.根据权利要求7所述的像素，其中，所述缓冲层的上表面的一部分凹陷预定深度，以将所述第二凹槽进一步限定在所述缓冲层中。

9.根据权利要求6所述的像素，其中，所述像素还包括：

第六绝缘层，设置在所述第五绝缘层上，

其中，所述第六绝缘层填充所述第一凹槽和所述第二凹槽。

10.根据权利要求2所述的像素，其中，第三凹槽被限定在所述绝缘层的与所述第二晶体管相邻的部分中。

11.根据权利要求10所述的像素，其中，所述第三凹槽被限定为穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层、所述第四绝缘层和所述第五绝缘层的彼此重叠的部分。

12.根据权利要求11所述的像素，其中，所述缓冲层的上表面的一部分凹陷预定深度，以将所述第三凹槽进一步限定在所述缓冲层中。

13.根据权利要求2所述的像素，其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层、所述第四绝缘层和所述第五绝缘层包括无机层。

14.根据权利要求2所述的像素，其中，所述第三绝缘层和所述第五绝缘层中的每一者的厚度大于所述缓冲层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第四绝缘层中的每一者的厚度。

15.根据权利要求2所述的像素，其中，所述第三绝缘层和所述第五绝缘层中的每一者包括多个无机绝缘层，所述多个无机绝缘层包括彼此不同的材料并且彼此层叠。