[发明专利]一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫及其制备工艺

说明书

本发明公开了一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫及其制备工艺，属于半导体抛光领域。本发明的一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫及其制备工艺，包括抛光白垫主体、纳米纤维夹层部、圆环连接部、均质主体层和高平坦度抛光部，所述均质主体层设置在纳米纤维夹层部的下端面，所述高平坦度抛光部设置在均质主体层的下端。本发明解决了现有技术中抛光垫结构简单，不具备长期工作的能力，且对半导体加工的平坦性一般，无法适应高强度的工作的问题，在基体沟部内部受到凹面和凸面的影响，对玻璃纤维柱的活动范围进行限制，使均质主体层内部受到的压力更均匀，提高工作能力，有利于延长抛光垫的使用寿命，提高工作效果，适应工作强度。

技术领域

本发明涉及半导体抛光技术领域，具体为一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫及其制备工艺。

背景技术

半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。抛光是一种在半导体制作中用于使半导体晶片或其它衬底平面化的技术。

现有技术中，如公开号为：CN107813219A的一种用于抛光半导体衬底的含有抛光层的化学机械抛光垫，所述抛光层包含其包含固化剂和多异氰酸酯预聚物的反应混合物的聚氨酯反应产物，所述多异氰酸酯预聚物的未反应的异氰酸酯(NCO)浓度为8.3wt％到9.8wt％并且由聚丙二醇(PPG)和聚四亚甲基醚乙二醇(PTMEG)以及含有聚乙二醇或氧化乙烯重复单元的亲水性部分的多元醇掺合物、甲苯二异氰酸酯以及一种或多种异氰酸酯增量剂形成，其中所述聚氨酯反应产物呈现出比干燥聚氨酯反应产物的肖氏D硬度小10％到20％的湿肖氏D硬度。

但上述技术中，现有的抛光垫结构简单，不具备长期工作的能力，且对半导体加工的平坦性一般，无法适应高强度的工作。

针对这些缺陷，设计一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫及其制备工艺，是很有必要的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫及其制备工艺，可以解决现有技术中抛光垫结构简单，不具备长期工作的能力，且对半导体加工的平坦性一般，无法适应高强度的工作的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于半导体抛光的高平坦性的白垫，包括抛光白垫主体、纳米纤维夹层部、圆环连接部、均质主体层和高平坦度抛光部，所述纳米纤维夹层部设置在抛光白垫主体的内部中间，所述圆环连接部设置在抛光白垫主体的上端外部，所述均质主体层设置在纳米纤维夹层部的下端面，所述高平坦度抛光部设置在均质主体层的下端；

所述均质主体层包括衬底和玻璃纤维柱，且衬底的内部设置有一体成型的基体沟部，所述玻璃纤维柱设置有若干个，若干个所述玻璃纤维柱位于基体沟部的内部与衬底活动连接；

所述高平坦度抛光部包括聚氨酯抛光基层和填充层，所述聚氨酯抛光基层采用水性环氧树脂胶、聚氨酯和聚氨酯胶黏剂发泡固化成型的高分子聚氨酯，且高分子聚氨酯所用的原料各成分重量比重份数配比如下：

水性环氧树脂胶60～75份；

聚氨酯120～150份；

聚氨酯胶黏剂30～45份；

所述填充层位于高硬度石膏基的下端面，且所述填充层包括中空玻璃微球，且中空玻璃微球采用粒度为10～250μm，壁厚为1～2μm的空心玻璃微珠，且空心玻璃微珠。

优选的，所述抛光白垫主体的内部设置有高硬度石膏基，所述高硬度石膏基采用缓凝剂和小颗粒度的石膏团聚而成的石膏基层；

其中，高硬度石膏基所用的原料各成分重量比重份数配比如下：

二水石膏250～275份、半水石膏300～375份、无水石膏150～200份、缓凝剂10～15份、外加剂13～21份。