[发明专利]抛光装置修整方法、抛光装置及化学机械研磨设备在审
申请号: | 202210914012.X | 申请日: | 2022-07-29 |
公开(公告)号: | CN115172224A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 周庆亚;孟晓云;张文斌;贾若雨;李久芳;吴燕林;杨元元 | 申请(专利权)人: | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B24B53/017;B24B29/02;H01L21/306;B24B37/20;B24B37/34 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李博洋 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 装置 修整 方法 化学 机械 研磨 设备 | ||
1.一种抛光装置修整方法,所述抛光装置包括抛光垫和修整装置,所述修整装置中配置有与抛光垫对应设置的修整头,其特征在于,包括以下步骤:
获取所述抛光垫各位置的损耗量;
基于所述修整头的直径,将抛光垫表面划分为多个修整区域,并选取其中一个所述修整区域作为基准修整区域;
基于所述损耗量计算各所述修整区域内的第一平均损耗量;
基于各所述修整区域与所述基准修整区域的第一平均损耗量的对应关系,调整所述修整头处于各所述修整区域内的转速。
2.根据权利要求1所述的抛光装置修整方法,其特征在于,所述基于各所述修整区域与所述基准修整区域的第一平均损耗量的对应关系,调整所述修整头处于各所述修整区域内的转速,包括:
判断所述修整头所处修整区域,若位于所述基准修整区域内,将位于所述基准修整区域内的修整头的转速调整为第一基准转速;若位于其他所述修整区域内,计算所述修整区域的第一平均损耗量与所述基准修整区域的第一平均损耗量的第一比值,并基于所述第一比值和所述第一基准转速调整位于其他所述修整区域内的修整头的转速。
3.根据权利要求2所述的抛光装置修整方法,其特征在于,所述判断修整头所处修整区域,包括:
以所述抛光垫的中心为原点,在抛光垫表面建立基准坐标系;
求取所述修整装置的支撑轴在所述基准坐标系中的第一坐标值;
获取所述抛光垫的旋转角度,求取所述基准坐标系旋转后的实时坐标系;
获取所述抛光装置的修整臂的摆动角度,基于所述支撑轴和所述修整头的轴线间距,求取所述修整头在所述实时坐标系内的第二坐标值;
基于所述第二坐标值,确定所述修整头在所述抛光垫上的绝对位置,获得所述修整头所处的修整区域。
4.根据权利要求3所述的抛光装置修整方法,其特征在于,所述获取抛光垫各位置的损耗量,包括:
获取修整头修整抛光垫过程中,在所述各位置上,垂直于抛光垫表面方向上的位移量;
基于所述位移量,计算所述修整头在所述抛光垫各位置的损耗量。
5.根据权利要求1所述的抛光装置修整方法,其特征在于,所述选取其中一个所述修整区域作为基准修整区域,包括:
比较各所述修整区域的第一平均损耗量大小;
选取所述第一平均损耗量最大或最小的修整区域作为所述基准修整区域。
6.根据权利要求1所述的抛光装置修整方法,其特征在于,所述修整方法还包括:
判断所述修整头是否移动至异常区域;
当修整头移动至所述异常区域时,基于所述异常区域的第二平均损耗量调整修整头的转速;
其中,确定所述异常区域的过程包括:
在同一个所述修整区域中划分出多个检测区域;
求取每个所述检测区域的第二平均损耗量;
判断位于同一个修整区域内的所述第二平均损耗量是否超出预设异常阈值;
若所述第二平均损耗量超出所述预设异常阈值,将所述第二平均损耗量对应的检测区域设定为异常区域。
7.根据权利要求6所述的抛光装置修整方法,其特征在于,判断所述第二平均损耗量是否超出预设异常阈值,包括:
求取所述检测区域的第二平均损耗量与所述检测区域所处修整区域的第一平均损耗量的差值的绝对值;
求取所述绝对值与所述第一平均损耗量的第二比值;
判断所述第二比值是否超出所述异常阈值。
8.根据权利要求7所述的抛光装置修整方法,其特征在于,所述基于异常区域的第二平均损耗量调整修整头的转速,包括:
将所述修整头在所述异常区域所处的修整区域的转速作为第二基准转速;
求取所述异常区域所处的修整区域的第一平均损耗量与所述异常区域的第二平均损耗量的第三比值;
当所述修整头移动至所述异常区域内时,基于所述第二基准转速和所述第三比值调整修整头的转速。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造