[发明专利]晶硅太阳电池背面Ag-Al搭界电阻及背Al栅线电阻的测试方法

说明书

本发明公开了一种晶硅太阳电池背面Ag‑Al搭界电阻及背Al栅线电阻的测试方法，包括：S1、提供晶硅太阳能电池片；S2、调节数字电压源表测试模式为四探针法；S3、将表中的两电流针压在电池片的背Ag电极1上，将两电压针压在背Ag电极2上，传输距离记为L₁，计算电阻为R_(n1一n2)；S4、再将两电流针压在背Ag电极1上，将两电压针压在背Ag电极3上，传输距离记为L₂，计算电阻为R_(n1一n3)；S5、将两电流针压在背Ag电极1上，两电压针压在背Ag电极X上，传输距离记为L_x‑1，计算电阻为R_(n1一nx)；S6、根据电阻结果和传输距离绘制坐标图，以传输距离为横坐标、电阻为纵坐标；坐标图的斜率即为电池片背Al栅线电阻率，背Al栅线电阻R_Al表示为背Al栅线电阻率×传输距离。

技术领域

本发明涉及电池片测试技术领域，具体涉及一种晶硅太阳电池背面Ag-Al搭界电阻及背Al栅线电阻的测试方法。

背景技术

晶体硅太阳能电池极限效率主要受复合、电阻、遮光面积三方面影响。电池的串阻过高，短路电流Isc和填充因子FF也会随之下降，影响电池片的转换效率和组件的输出功率。因此，我们总希望电池的串阻越小越好。晶体硅电池的串阻Rs包括体电阻、薄层电阻、栅线电阻、接触电阻，而栅线电阻又包括正面Ag栅线电阻、背Ag电极电阻、背面Al栅线电阻以及背面Ag-Al搭界电阻。

目前，关于金属化的研究主要集中在正面电极上，对背电极的研究也主要集中在焊接性能上，而忽略其对串联电阻的影响。浆料与硅基体及其他电极材料良好的匹配性是电池片获得高转换效率的前提，背银电极与背铝电极导通良好，才能降低串联电阻，提高电池的转换效率。此外，在对成品电池背面电极进行研究时，我们发现背银电极与背铝电极重叠的位置普遍存在裂隙，这会进一步增大接触电阻，而背面Ag-Al搭界电阻由于没有较好的测试方法，一直被忽视。目前，对晶硅电池背面Ag-Al搭界处的研究，多是通过将背面Ag-Al搭界位置的金属膜刮除，使用扫描电子显微镜进行观察，这种方式会破坏电池片且较为繁琐且不直观。

发明内容

本发明的目的在于针对目前晶硅太阳能电池测试技术的不足，而提供一种便捷的晶硅太阳能电池背面Ag-Al搭界电阻及Al栅线电阻的测试方法，以直观的表征晶硅太阳能电池背面Ag-Al搭界电阻以及背面Al栅线电阻。

本发明是通过如下技术方案实现的：

一种晶硅太阳电池背面Ag-Al搭界电阻及背Al栅线电阻的测试方法，其特征在于，该方法利用数字电压源表进行测试，所述数字电压源表工作模式为给定电流测试电压，其包括如下步骤：

S1、提供成品晶硅太阳能电池片；所述电池片的背面具有若干背Ag电极和若干背Al栅线；所述的背Ag电极与所述背Al栅线接触；将背Ag电极与背Al栅线接触处的电阻记为Ag-Al搭界电阻R_C；

S2、调节所述数字电压源表测试模式为四探针法；

S3、将所述数字电压源表中的两电流针压在所述电池片背面的背Ag电极1上，将两电压针压在另一个背Ag电极2上，传输距离记为L₁，记录此时电压；根据电阻＝电压/电流，计算得出电阻R，并将此时的电阻记为R_(n1一n2)；其中：电阻R_(n1一n2)为：L₁长度的背Al栅线电阻R_Al与2个背面Ag-Al搭界电阻R_C之和；