[发明专利]一种基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器

权利要求书

1.一种基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器，其特征在于，包括：由上到下依次相叠的二氧化硅上包层(1)、调制层(2)、二氧化硅埋层(3)、硅衬底层(4)；所述的调制层(2)包括：金属电极(21)、二氧化硅粘附层(22)、长方体二氧化钒(23)、直角弯曲硅波导(24)；所述的直角弯曲硅波导(24)的外直角弯曲处倒直角，所述的长方体二氧化钒(23)的一个侧面与倒直角形成的平面紧密贴合；所述的二氧化硅粘附层(22)粘贴在楔形氧化钒(231)的上表面，所述的金属电极(21)设置在二氧化硅粘附层(22)的上表面，用于加载矩形脉冲电压信号。

2.根据权利要求1所述的基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器，其特征在于，所述的矩形脉冲电压信号处于低电平状态时，长方体二氧化钒(23)为金属相，在直角弯曲硅波导(24)的外直角弯曲处倒直角形成的平面上形成一个反射镜的结构，从而增强输入光信号在弯曲处的透过率，此时调制器处于“开启”状态；所述的矩形脉冲电压信号处于高电平状态时，长方体二氧化钒(23)为半导体相，输入光信号在直角弯曲硅波导(24)的外直角处泄露进入长方体二氧化钒(23)，同时由于巨大的弯曲损耗导致输入光信号在直角弯曲硅波导(24)的外直角处的透过率很低，此时调制器处于“关闭”状态。

3.根据权利要求1所述的基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器，其特征在于，所述的二氧化硅上包层(1)上加工有与调制层(2)相匹配的槽，所述的调制层(2)的被二氧化硅上包层(1)包覆在槽内，所述的调制层(2)的下表面设置在二氧化硅埋层(3)的上表面，调制层(2)被夹在二氧化硅上包层(1)与二氧化硅埋层(3)之间，所述的二氧化硅埋层(3)的下表面与硅衬底层(4)的上表面贴合。

4.根据权利要求1所述的基于相变材料的紧凑型双模等离子体波导调制器，其特征在于，所述的金属电极(21)的上表面与二氧化硅上包层(1)的上表面齐平，金属电极(21)裸露在外面。

5.根据权利要求1所述的基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器，其特征在于，所述的直角弯曲硅波导(24)的内直角处弯曲出倒圆弧角。

6.根据权利要求1所述的基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器，其特征在于，所述的长方体二氧化钒(23)的厚度与直角弯曲硅波导(24)厚度相同。