[发明专利]基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法

权利要求书

1.一种基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供缓冲层(100)；

在所述缓冲层(100)表面形成氧化铪基铁电薄膜(200)，得到稳定的氧化铪基铁电薄膜结构；

其中，所述缓冲层(100)的材质为二维材料，所述缓冲层(100)与所述氧化铪基铁电薄膜(200)之间通过范德华力作用连接，以形成范德华异质界面，增大氧化铪基铁电薄膜的表面能，促进其内部铁电相的转变。

2.根据权利要求1所述的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法，其特征在于，还包括：

提供衬底(500)；

在所述衬底(500)表面形成所述缓冲层(100)；

其中，所述衬底(500)为导电材质。

3.根据权利要求1或2所述的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法，其特征在于，

所述缓冲层(100)为超薄单晶云母层或超薄二硫化钼层。

4.根据权利要求3所述的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法，其特征在于，提供缓冲层(100)包括：

通过化学气相沉积法得到超薄二硫化钼层，所述超薄二硫化钼层的厚度为：1-100nm。

5.根据权利要求3所述的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法，其特征在于，提供缓冲层(100)包括：

对单晶云母片进行机械剥离，得到所述超薄单晶云母层；

所述超薄单晶云母片的厚度为1-100nm。

6.根据权利要求1所述的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法，其特征在于，

所述氧化铪基铁电薄膜(200)为掺杂锆的氧化铪基铁电薄膜(200)，铪与锆的物质的量之比为1:1；所述掺杂锆的氧化铪基铁电薄膜(200)通过原子层沉积技术方法制备，厚度为5-15nm；或

所述氧化铪基铁电薄膜(200)为掺杂铈的氧化铪基铁电薄膜(200)，铪与铈的物质的量之比为1:0.15；所述掺杂铈的氧化铪基铁电薄膜(200)通过溶胶凝胶法制备，厚度为60-120nm；或

所述氧化铪基铁电薄膜(200)为掺杂钇的氧化铪基铁电薄膜(200)，铪与钇的物质的量之比为1:0.05；所述掺杂钇的氧化铪基铁电薄膜(200)通过溶胶凝胶法制备，厚度为15-30nm。

7.一种氧化铪基铁电薄膜结构，其特征在于，通过采用权利要求1-6任一项所述的制备方法所制得。

8.根据权利要求7所述的氧化铪基铁电薄膜结构，其特征在于，包括：

二维材料的缓冲层(100)；

氧化铪基铁电薄膜(200)，所述氧化铪基铁电薄膜(200)覆盖在所述缓冲层(100)上，所述缓冲层(100)与所述氧化铪基铁电薄膜(200)通过范德华力作用连接，形成范德华异质界面，增大氧化铪基铁电薄膜的表面能，促进向铁电相的转变。

9.一种电容结构，其特征在于，包括如上述权利要求7或8所述的氧化铪基铁电薄膜结构。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如上述权利要求7-8任一项所述的氧化铪基铁电薄膜结构或上述权利要求9所述的电容结构。