[发明专利]陶瓷电子器件、电介质材料和陶瓷电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷电子器件，包括：

交替层叠的电介质层和内部电极层，

其中所述电介质层含有氧化钇稳定的氧化锆和作为主要成分的(Ca_x1Ba_x2Sr_1-x1-x2)(Ti_yZr_1-y)O₃(0.6≤x1≤0.9，0≤x2≤0.1，0≤y≤0.1)，并且

其中，在所述电介质层中，当Ti和Zr的总量为100mol％时，所述氧化钇稳定的氧化锆的浓度为0.5mol％以上且5.0mol％以下。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，

其中所述电介质层包括锰化合物，并且

其中，在所述电介质层中，当Ti和Zr的总量为100mol％时，所述锰化合物的浓度以MnO计为0.2mol％以上且5.0mol％以下。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，

其中所述电介质层包括硅化合物，并且

其中，在所述电介质层中，当Ti和Zr的总量为100mol％时，所述硅化合物的浓度以SiO₂计为0.5mol％以上且5.0mol％以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷电子器件，

其中所述电介质层包括硼化合物，并且

其中，在所述电介质层中，当Ti和Zr的总量为100mol％时，所述硼化合物的浓度以(B₂O₃)/2计为0.2mol％以上且1.0mol％以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的陶瓷电子器件，其中在所述电介质层的截面中，所述氧化钇稳定的氧化锆的晶粒的面积比为1％以上且15％以下。

6.根据权利要求5所述的陶瓷电子器件，

其中所述电介质层包括多个空隙，并且

其中在所述电介质层的截面中，所述多个空隙的总面积小于所述氧化钇稳定的氧化锆的晶粒的总面积。

7.根据权利要求6所述的陶瓷电子器件，其中所述多个空隙的每一个的长径为0.1μm以上且0.6μm以下。

8.根据权利要求6或7所述的陶瓷电子器件，其中所述多个空隙中的至少一个与所述晶粒中的至少一个彼此接触。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的陶瓷电子器件，其中所述电介质层的厚度为2μm以下。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的陶瓷电子器件，其中通过所述电介质层在25℃下的静电容量与在125℃下的静电容量之差得到的温度系数为-300ppm/℃以上且300ppm/℃以下。

11.一种电介质材料，包括：

氧化钇稳定的氧化锆；和

作为主要成分的(Ca_x1Ba_x2Sr_1-x1-x2)(Ti_yZr_1-y)O₃(0.6≤x1≤0.9，0≤x2≤0.1，0≤y≤0.1)，

其中当Ti和Zr的总量为100mol％时，所述氧化钇稳定的氧化锆的浓度为0.5mol％以上且5.0mol％以下。

12.根据权利要求11所述的电介质材料，其进一步包括：

锰化合物，

其中当Ti和Zr的总量为100mol％时，所述锰化合物的浓度以MnO计为0.2mol％以上且5.0mol％以下。