[发明专利]包括杂环化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，所述夹层包括发射层；以及

由式1表示的杂环化合物：

式1

式2

式3

式4

其中，在式1至式4中，

Y₂为由式2表示的基团，

环CY3为由式3表示的基团，

环CY4为由式4表示的基团，

环CY21、环CY22、环CY31、环CY32、环CY41和环CY42各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

X₃₃为单键、O、S、B(R₃₃)、N(R₃₃)、C(R₃₃)(R₃₄)、Si(R₃₃)(R₃₄)或C(R₃₃)＝C(R₃₄)，

b₃₃为选自0至3的整数，

当b₃₃为0时，X₃₃不存在，

X₄₃为单键、O、S、B(R₄₃)、N(R₄₃)、C(R₄₃)(R₄₄)、Si(R₄₃)(R₄₄)或C(R₄₃)＝C(R₄₄)，

b₄₃为选自0至3的整数，

当b₄₃为0时，X₄₃不存在，

R₁、R₂₁至R₂₃、R₃₁至R₃₄和R₄₁至R₄₄各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳基烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a21、a22、a31、a32、a41和a42各自独立地为选自0至10的整数，

其中，在式2中，

*指示与式1中Y₂连接的氮的结合位点，

其中，在式3和式4中，

*'指示与式1中Y₂连接的氮的结合位点，并且

*”指示与式1中R₁连接的氮的结合位点，

其中R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基、C₁-C₆₀杂环基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳基烷基；或C₂-C₆₀杂芳基烷基。