[发明专利]一种采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路在审
申请号: | 202210923283.1 | 申请日: | 2022-08-02 |
公开(公告)号: | CN115167601A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 来新泉;付原龙;李继生;李文岑 | 申请(专利权)人: | 西安水木芯邦半导体设计有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 张国麒 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新区唐*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 齐纳二极管 实现 偏置 稳压器 及其 限流 电路 | ||
1.一种采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,包括:限流保护电路、LDO电路、基准电路模块、共射极放大电路模块、嵌套式限流电路模块和稳压电路模块;
所述限流保护电路模块用于限制驱动能力过大而导致器件损坏;
所述LDO电路模块用于将电源电压转换至所需的电压值;
所述基准电路模块用于输出和输入电压;
所述共射极放大电路模块用于放大电压;
所述嵌套式限流电路模块用于保护功率器栅源极不被击穿;
所述稳压电路模块用于稳定电压。
2.如权利要求1所述的采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,所述限流保护电路包括:功率器件MN1,齐纳二极管D2,三极管Q2,电阻R5,电阻R8,电阻R9,电阻R12;所述齐纳二极管D2的阴极连接三极管Q2的功率器件MN1的栅极,所述三极管Q2的发射极连接电阻R5,所述三极管Q2的基极连接电阻R8和电阻R12,所述电阻R8连接电阻R9。
3.如权利要求1所述的采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,所述LDO电路包括集电极功率器件MN1,电阻R8,电阻R9,电阻R12,电阻R10,电阻R11,电容C1,及共射极放大电路模块和稳压电路模块;所述集电极功率器件MN1源极与电阻R8相连,电阻R8与电阻R9和电阻R12相连,电阻R9和电阻R10相连并连接至Vout引脚,电阻R10和电容C1及电阻R11相连,电阻R10和电阻R11构成分压电路,电阻R10和C1构成补偿网络。
4.如权利要求1所述的采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,所述基准电路模块由齐纳二极管D1和NPN三极管的发射极连接构成。
5.如权利要求1所述的采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,所述共射极放大电路模块包括NPN三极管的集电极和电阻R1、R2和R3相连,基极和电阻R4相连,发射极和齐纳二极管D1连接构成。
6.如权利要求1所述的采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,所述嵌套式限流电路模块包括功率器件MN1、齐纳二极管D3和D4、其中所述功率器件MN1与所述齐纳二极管D3和D4连接。
7.如权利要求6所述的采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,所述嵌套式限流电路模块工作过程包括:当功率器件MN1的漏极电流Id减小时,齐纳二极管D3和D4起到正向和反向的钳位作用,稳定功率器件MN1的栅源电压;当功率器件MN1的漏极电流Id过大时,导致功率管的栅源极电压过大而导致器件算坏,由于齐纳二极管D3和D4将栅源极电压钳位值约6.5V,从而保护功率管不会被击穿而损坏。
8.如权利要求1所述的采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,所述稳压电路模块包括:负反馈电阻R10和R11以及NPN三极管Q1连接。
9.如权利要求8所述的采用齐纳二极管实现自偏置稳压器及其限流电路,其特征在于,所述稳压电路模块的工作过程包括:通过负反馈电阻R10和R11来稳定三极管Q1的基极电压,而三极管Q1的集电极与集电极功率器件MN1的栅极相连,通过三极管的集电极电压来组成一个反馈电压,用来稳定功率器件MN1的栅极电压。
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