[发明专利]一种聚合物微流控芯片的键合方法以及聚合物微流控芯片在审
| 申请号： | 202210928461.X | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN115283030A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张慧儒;王素娟;罗杵添;张濯;谢普阳 | 申请（专利权）人： | 广东顺德工业设计研究院（广东顺德创新设计研究院） |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;B81C3/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 戴志攀 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市顺德区北滘*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 微流控 芯片 方法 以及 | ||
1.一种聚合物微流控芯片的键合方法，其特征在于，所述聚合物微流控芯片包括基片和盖片，所述键合方法包括以下步骤：
S10：对所述基片的待键合面和所述盖片的待键合面在第一气体环境中进行等离子体处理，制备预处理基片和预处理盖片，其中，所述第一气体包括氧气；
S20：叠置所述预处理基片与所述预处理盖片，使所述基片的待键合面和所述盖片的待键合面接触，进行热压键合处理，制备预键合微流控芯片；
S30：对所述预键合微流控芯片在第二气体环境中进行等离子体处理，其中，所述第二气体包括COF2。
2.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，步骤S10中，所述等离子体处理的时间为2min～5min，所述第一气体的流量为0.5ml/min～1ml/min。
3.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，步骤S10中，利用交流电电源，在80W～300W的功率下进行所述等离子体处理。
4.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，步骤S10中，所述等离子体处理中真空度为10kPa～100kPa。
5.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，步骤S20中，所述热压键合处理中，处理时间为2min～12min，处理温度为70℃～160℃，处理压力为80kPa～150kPa。
6.如权利要求5所述的键合方法，其特征在于，所述基片和/或所述盖片的材料组分具备如下至少一个特征：
(1)所述基片和/或所述盖片的材料组分中包括环烯烃共聚物，步骤S20中，所述热压键合处理中处理时间为3min～8min，处理温度为70℃～80℃；
(2)所述基片和/或所述盖片的材料组分中包括聚碳酸酯，步骤S20中，所述热压键合处理中处理时间为5min～10min，处理温度为130℃～150℃；
(3)所述基片和/或所述盖片的材料组分中包括聚甲基丙烯酸甲酯，步骤S20中，所述热压键合处理中处理时间为5min～10min，处理温度为90℃～130℃。
7.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，步骤S30中，所述等离子体处理中，所述第二气体的流量为0.5ml/min～1ml/min，等离子体处理时间为4min～20min。
8.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，步骤S30中，所述等离子体处理中，真空度为10kPa～100kPa。
9.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，步骤S30中，利用交流电电源，在100W～200W的功率下进行所述等离子体处理。
10.一种聚合物微流控芯片，其特征在于，所述聚合物微流控芯片包括所述盖片和所述基片，所述盖片与所述基片按照权利要求1～9任一项所述的聚合物微流控芯片的键合方法进行键合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东顺德工业设计研究院（广东顺德创新设计研究院），未经广东顺德工业设计研究院（广东顺德创新设计研究院）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210928461.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
