[发明专利]一种并行管理多个SSD读写的方法在审
申请号: | 202210930161.5 | 申请日: | 2022-08-03 |
公开(公告)号: | CN115454330A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 王航特 | 申请(专利权)人: | 中勍科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京艾纬铂知识产权代理有限公司 16101 | 代理人: | 高会允 |
地址: | 100191 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 并行 管理 ssd 读写 方法 | ||
本发明公开了一种并行管理多个SSD读写的方法,涉及数据存储技术领域。该方法的具体实施方式包括:CPU创建一个数据处理线程和多个SSD线程,为每一个SSD分配一个SSD线程;通过数据处理线程接收数据写入请求;在待写入文件的大小达到写入文件阈值的情况下,分别判断每一个SSD的缓冲区的已缓冲数据是否满足缓冲阈值的要求;如果是,将待写入文件划分为多个子文件,分别利用多个SSD线程将多个子文件写入与SSD线程对应的SSD。该实施方式能够对多个SSD进行管理,使得多个SSD并行、同步读写同一文件的不同区域,将数据直接写在硬盘物理地址,使得文件的读写速率大大提升,可以满足各种数据格式的读写需求,防止SSD的自身损耗,大大提高SSD的使用寿命。
技术领域
本发明属于数据存储技术领域,具体涉及一种并行管理多个SSD读写的方法。
背景技术
固态硬盘(Solid State Disk/Solid State Drive,简称SSD,又称固态驱动器),是指利用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘,使用电子存储芯片作为介质,通常由控制芯片和闪存芯片(也称FLASH芯片)组成。
现有的SSD数据读写过程中,利用多个SSD同时进行数据读写时,常常采用多个SSD组raid(Redundant Arrays of Independent Drives,即磁盘阵列)的方式。然而,一方面,多个SSD磁盘阵列的方式在对同一个文件进行读写时,通常是将文件分为N个部分,多个SSD接续进行读写,也即,一个SSD读写完毕后,下一个SSD才可以接着读写,使得文件的读写速率低下;另一方面,文件的读写速率并不随SSD数量的增多而呈相应的倍速增大趋势,也即,增加SSD的数量可能并不会带来文件读写速率增大的效果,反而使得SSD自身的损耗增加。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种并行管理多个SSD读写的方法,能够对多个SSD进行管理,使得多个SSD并行、同步读写同一文件的不同区域,将数据直接写在硬盘物理地址,SSD的读写速率可以达到硬盘的理论最大读写速率,使得文件的读写速率大大提升,可以满足各种数据格式的读写需求,防止SSD的自身损耗,大大提高SSD的使用寿命。
实现本发明的技术方案如下:
一种并行管理多个SSD读写的方法,所述方法利用电抗记录设备执行,所述电抗记录设备包括CPU和存储卡,所述存储卡包括多个SSD,所述方法包括:
所述CPU创建一个数据处理线程和多个SSD线程,为每一个所述SSD分配一个SSD线程;
通过所述数据处理线程接收数据写入请求;其中,所述数据写入请求包括待写入文件;
在所述待写入文件的大小达到写入文件阈值的情况下,分别判断每一个所述SSD的缓冲区的已缓冲数据是否满足缓冲阈值的要求;其中,所述写入文件阈值是根据所述SSD的单位扇区大小和数量确定的;
如果是,将所述待写入文件划分为多个子文件,分别利用多个所述SSD线程将多个所述子文件写入与所述SSD线程对应的SSD;其中,所述子文件的数量与所述SSD线程的数量相同。
可选地,所述缓冲阈值包括缓冲区最大深度;所述判断每一个所述SSD的缓冲区的已缓冲数据是否满足缓冲阈值的要求,包括:
分别判断每一个所述SSD的缓冲区的已缓冲数据是否小于所述缓冲区最大深度;如果是,执行所述将所述待写入文件划分为多个子文件;
将多个所述子文件分别存放至多个所述SSD的缓冲区。
可选地,所述缓冲阈值还包括缓冲写入阈值;所述判断每一个所述SSD的缓冲区的已缓冲数据是否满足缓冲阈值的要求,还包括:
通过多个所述SSD线程监控与所述SSD线程对应的SSD的缓冲区,判断所述SSD的缓冲区的已缓冲数据是否大于缓冲写入阈值;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中勍科技股份有限公司,未经中勍科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210930161.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。