[发明专利]多环芳香族化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置及照明装置在审

专利信息
申请号: 202210935014.7 申请日: 2022-08-04
公开(公告)号: CN115703803A 公开(公告)日: 2023-02-17
发明(设计)人: 畠山琢次;小林孝弘;田中裕之;水谷彰英;前田健永;东真人;南凌 申请(专利权)人: 学校法人关西学院;爱思开新材料捷恩智株式会社
主分类号: C07F5/02 分类号: C07F5/02;C09K11/06;H10K85/60;H10K50/11
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张娜;黄健
地址: 日本兵库县西*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芳香族 化合物 有机 器件 用材 电致发光 元件 显示装置 照明 装置
【权利要求书】:

1.一种多环芳香族化合物,具有包含下述式(1)所表示的结构单元的一个或两个以上的结构;

式(1)中,

A环、B环分别独立地为经取代或未经取代的芳基环或者经取代或未经取代的杂芳基环;

C环为式(C)所表示的环,

式(C)中,

Xc为>O、>N-R、>C(-R)2、>Si(-R)2、>S、或>Se,所述>N-R、所述>C(-R)2及所述>Si(-R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基,所述>C(-R)2及所述>Si(-R)2的两个R可相互键结而形成环,

任意邻接的两个ZC是分别与Y1或X2中的任一者直接键结的碳,

其他的ZC分别独立地为N或C-RC,RC分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的芳硫基、或者取代硅烷基,所述二芳基氨基的两个芳基可相互经由连结基而键结,所述二杂芳基氨基的两个杂芳基可相互经由连结基而键结,所述芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基可相互经由连结基而键结,所述二芳基硼基的两个芳基可相互经由单键或连结基而键结,

邻接的两个RC可相互键结而形成芳基环或杂芳基环,所形成的芳基环及杂芳基环分别未经取代、或由至少一个RC2取代,RC2与RC为相同含义,其中,RC2不为氢,且邻接的两个RC2不会相互键结形成芳基环或杂芳基环;

Y1为B、P、P=O、P=S、Al、Ga、As、Si-R、或Ge-R,所述Si-R及所述Ge-R的R为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基;

X1及X2分别独立地为>O、>N-R、>C(-R)2、>Si(-R)2、>S、或>Se,所述>N-R的R为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基,所述>C(-R)2、及所述>Si(-R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基,所述>C(-R)2及所述>Si(-R)2的两个R可相互键结而形成环,另外,所述>N-R的R和/或所述>C(-R)2的R可通过连结基或单键而与A环和/或B环键结、或者A环和/或C环键结,

其中,X1或X2的至少一个为>N-G,G为式(G)所表示的基,

式(G)中,

Zg分别独立地为N或C-Rg,Rg分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的芳硫基、或者取代硅烷基,所述二芳基氨基的两个芳基可相互经由连结基而键结,所述二杂芳基氨基的两个杂芳基可相互经由连结基而键结,所述芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基可相互经由连结基而键结,所述二芳基硼基的两个芳基可相互经由单键或连结基而键结,

邻接的两个Rg可相互键结而形成芳基环或杂芳基环,所形成的芳基环及杂芳基环分别未经取代、或由至少一个Rg2取代,Rg2与Rg为相同含义,其中,Rg2不为氢,且邻接的两个Rg2不会相互键结形成芳基环或杂芳基环,

*表示与N的键结位置;

所述结构中的芳基环或杂芳基环的至少一个可由至少一个环烷烃缩合,所述环烷烃中的至少一个氢可经取代,所述环烷烃中的至少一个-CH2-可由-O-取代;

所述结构中的至少一个氢可由氰基、卤素、或氘取代。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于学校法人关西学院;爱思开新材料捷恩智株式会社,未经学校法人关西学院;爱思开新材料捷恩智株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210935014.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top