[发明专利]用于电源管理芯片的电流补偿电路有效

专利信息
申请号: 202210935209.1 申请日: 2022-08-05
公开(公告)号: CN115065246B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 罗寅;陈朝勇;谭在超;丁国华 申请(专利权)人: 苏州锴威特半导体股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/088
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 代理人: 葛莉华
地址: 215600 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用于 电源 管理 芯片 电流 补偿 电路
【说明书】:

发明涉及电源管理芯片技术领域,公开了用于电源管理芯片的电流补偿电路,包括MOS管N4、MOS管P6、电压钳位单元、电阻R1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、第三电流镜单元、第四电流镜单元和电容C2,在实际使用时,本发明在电阻R1接地或者接入电源时,通过让电压钳位单元控制MOS管N4导通或者控制MOS管P6导通,进而使第一电流镜单元或者第二电流镜单元产生电流,该电流最后经过第四电流镜单元镜像后输入到电容C2,产生补偿电流,因此本发明能在电阻R1的下拉接地和上拉接电源时都能产生补偿电流,适用性较强。

技术领域

本发明涉及电源管理芯片技术领域,具体涉及用于电源管理芯片的电流补偿电路。

背景技术

电源管理芯片是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片,主要负责识别CPU供电幅值,产生相应的短矩波,推动后级电路进行功率输出。

现有电源管理芯片在实际使用时需要外接补偿电阻进行电流补偿,补偿电阻的阻值决定了补偿电流的大小,且补偿电阻未与电源管理芯片电连接的一端只能下拉接地或者上拉接电源,两者不能兼容,缺少一种能同时满足补偿电阻下拉接地和上拉接电源的电流补偿电路。

发明内容

在鉴于背景技术的不足,本发明是提供了用于电源管理芯片的电流补偿电路,所要解决的技术问题是现有电流补偿电路不能同时支持补偿电阻下拉接地或者上拉接电源,适用性较差。

为解决以上技术问题,本发明提供了如下技术方案:用于电源管理芯片的电流补偿电路,包括MOS管N4、MOS管P6、电压钳位单元、电阻R1、第一电流镜单元和第二电流镜单元;所述电压钳位单元包括电压输入端、第一电压输出端和第二电压输出端;

所述MOS管N4的栅极和MOS管P6的栅极分别与所述第二电压输出端电连接;MOS管N4的漏极与第一电流镜单元的主电流镜单元电连接;MOS管N4的源极分别与MOS管P6的源极和第一电压输出端电连接,MOS管P6的漏极与第二电流镜单元的主电流镜单元电连接;

所述第一电压输出端与电阻R1一端电连接;所述电压钳位单元的电压输入端被配置于输入基准电压,所述电压钳位单元将所述第一电压输出端的电压钳位至基准电压大小;在所述电阻R1另一端接地时,所述电压钳位单元将所述第二电压输出端的电压钳位至第二电压,所述第二电压大于所述基准电压;在所述电阻R1另一端接入电源时,所述电压钳位单元将所述第二电压输出端的电压钳位至第三电压,所述第三电压小于所述基准电压。

在某种实施方式中,所述电压钳位单元包括MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、电阻R2和电容C1;

MOS管P1的源极分别与MOS管P2的源极和MOS管P3的源极电连接;

MOS管P1的漏极分别与MOS管P1的栅极、MOS管P2的栅极和MOS管P3的栅极电连接;

MOS管P2的漏极分别与MOS管P4的源极和MOS管P5的源极电连接;MOS管P4的栅极为第一电压输出端,与所述电阻R1一端电连接;MOS管P4的漏极分别与MOS管N1的漏极、MOS管N1的栅极和MOS管N2的栅极电连接,MOS管N1的源极分别与MOS管N2的源极和MOS管N3的源极电连接;

MOS管P5的栅极为电压输入端,MOS管P5的漏极分别与MOS管N2的漏极、电阻R2一端和MOS管N3的栅极电连接,电阻R2另一端与电容C1一端电连接,电容C1另一端为第二电压输出端,分别与MOS管P3的漏极和MOS管N3的漏极电连接。

在某种实施方式中,本发明还包括第三电流镜单元、第四电流镜单元和电容C2,所述第一电流镜单元的从电流镜单元与第三电流镜单元的主电流镜单元电连接;所述第三电流镜单元的从电流镜单元和所述第二电流镜单元的从电流镜单元分别与所述第四电流镜单元的主电流镜单元电连接,所述第四电流镜单元的从电流镜单元与所述电容C2一端电连接。

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