[发明专利]低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法在审
| 申请号： | 202210936276.5 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115376924A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李昀佶;张长沙;周海 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 向导 通压降 沟槽 碳化硅 mosfet 制造 方法 | ||
1.一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
步骤1、在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成第一掩蔽层以及第二掩蔽层；
步骤2、在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成多晶硅源区；
步骤3、在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成第一夹断区以及第二夹断区；
步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层和第一掩蔽层蚀刻形成栅极区，氧化栅极区，形成栅极绝缘层；
步骤5、淀积形成栅极多晶硅层；
步骤6、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源区金属通孔；通过源区金属通孔对多晶硅源区淀积，形成源极金属层；
步骤7、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀通孔，淀积形成栅极金属层；
步骤8、清除阻挡层，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层。
2.如权利要求1所述的一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，所述第一掩蔽层以及第二掩蔽层均为P+型。
3.如权利要求1所述的一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，所述多晶硅源区为N型，所述漂移层为N型。
4.如权利要求1所述的一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，所述第一夹断区以及第二夹断区均为P型；所述第一夹断区以及第二夹断区的掺杂浓度小于多晶硅源区的掺杂浓度，且高于漂移层的掺杂浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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