[发明专利]光二极管的结构

权利要求书

1.一种光二极管的结构，其特征在于，其透过一外部光源转换一电流值，其包含：

一基板；

一第一电极，其设置于该基板上；

一电子传递层，其设置于该第一电极上；

一光活性层，其设置于该电子传递层上，该光活性层具有一第一能隙值；

一滤光层，其设置于该光活性层上，该滤光层具有一第二能隙值；以及

一第二电极，其设置于该滤光层上；

其中，该第二能隙值大于该第一能隙值，该第二能隙值与该第一能隙值具有一能隙比值，该能隙比值大于1且小于等于3。

2.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该基板使用硅基板、聚酰亚胺基板、玻璃基板、聚苯二甲酸乙二酯基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、蓝宝石基板、石英基板或陶瓷基板。

3.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该第一电极为一透明电极或一金属电极，其中，该透明电极选自于金属氧化物、导电高分子、石墨烯、奈米碳管、金属奈米线、金属网格，或上述材料任意搭配组合所构成，该金属电极选自于铝、银、金、铜、钨、钼、钛或上述金属材料以不同比例或搭配不同元素制作的复合金属电极。

4.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该电子传递层选自于SnO₂、ZnO、TiO₂、Cs₂CO₃、Nb₂O₅、PDMAEMA及PFN-Br所组成的群组的其中之一。

5.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，更包含一电洞传递层，其设置于该滤光层及该第二电极之间。

6.如权利要求5所述的光二极管的结构，其特征在于，该电洞传递层选自于PEDOT:PSS、MoO₃、NiO、V₂O₅、WO₃、CuSCN、spiro-MeOTAD及PTAA所组成的群组的其中之一。

7.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该光活性层选自于P3HT、PCBM、PTB7、N2200、PM6、PBDB-T、Y6、IT4F、CH₃NH₃PbI₃、CsPbI₃、CH₃NH₃PbBr₃、CsPbBr₃、ZnS、CdSe、ZnSe、CdS及InP所组成的群组的其中之一。

8.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该滤光层选自于P3HT、PTB7、PM6、PBDB-T、CH₃NH₃PbI₃、CsPbI₃、CH₃NH₃PbBr₃、CsPbBr₃、ZnS、CdSe、ZnSe、CdS及InP所组成的群组的其中之一。

9.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该光活性层进一步包含至少一供体化合物及至少一受体化合物。

10.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该第二电极金属氧化物、金属、导电高分子、碳基导体、金属化合物，或由上述材料交替组成的导电薄膜。