[发明专利]物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法在审
| 申请号： | 202210941444.X | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115449745A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张欣欣 | 申请（专利权）人： | 张欣欣 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06 |
| 代理公司： | 浙江新篇律师事务所 33371 | 代理人： | 龚玉平 |
| 地址： | 474150 河南省南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 技术 制备 碳化 锆膜层 方法 | ||
1.物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，包括以下步骤：
第一步：将基体材料置于物理气相沉积设备反应室内的偏转源上，向真空反应室内通入氮气和惰性气体，反应时间20-1800秒；
第二步：在基材表面形成沉积薄膜，关闭氮气，向反应室内通入反应气体，调整气压氛围，使反应气体与氮化处理后的基体材料进行反应，进行偏压电流处理；
第三步：得到附着有氮碳化锆膜层的基材材料。
2.根据权利要求1所述的物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，其特征在于：所述第二步中的反应气体为乙炔或甲烷气体。
3.根据权利要求2所述的物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，其特征在于：所述乙炔或甲烷气体流量为10-1000Sccm。
4.根据权利要求1所述的物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，其特征在于：所述第二步中的气压氛围为0.05Pa-100Pa。
5.根据权利要求1所述的物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，其特征在于：所述第一步中的所述偏转源转速可以调整为1-2。
6.根据权利要求1所述的物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，其特征在于：物理气相沉积设备反应室中的温度保持在250度至480度之间。
7.根据权利要求1所述的物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，其特征在于：所述第一步中的惰性气体为流量120-300Sccm的氩气。
8.根据权利要求1所述的物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，其特征在于：第一步中氮气流量为100-800Sccm。
9.根据权利要求1所述的物理气相沉积技术制备氮碳化锆膜层的制备方法，其特征在于：所述第二步中的偏压为30-200V。
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