[发明专利]一种发光二极管元件在审
申请号: | 202210941809.9 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN115172548A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 王进;吴俊毅;钟秉宪;王笃祥 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/30;H01L33/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 元件 | ||
1.一种发光二极管元件,其包括:
半导体序列,半导体序列一侧为出光面,另一侧包括半导体的P-GaP层,半导体序列包括第一导电性半导体层、活性层和第二导电性半导体层,
其特征在于:
自P-GaP层的远离出光面的一侧的部分区域形成有凹处和非凹处,所述非凹处形成为多个独立的结构,所述凹处为连续的,所述的非凹处被所述凹处包围形成为相对的多个凸起;
所述P-GaP的掺杂浓度≥5E+19cm-3;
所述P-GaP层的非凹处一侧设置有欧姆接触层,欧姆接触层与P-GaP层的非凹处接触。
2.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:凹处内设置有透明绝缘层;透明绝缘层的远离凹处表面的一侧和P-GaP层的非凹处一侧设置有反射层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:欧姆接触层与P-GaP层的非凹处接触的接触面为第一接触面,第一接触面占凹处与非凹处的总的水平面积的比例为10%~50%。
4.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:欧姆接触层与P-GaP层的非凹处接触的接触面为第一接触面,第一接触面占凹处与非凹处的总的水平面积的比例为12.5%~25%。
5.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:所述多个凹处的顶面可以为圆形、方形或三角形或五角形形状。
6.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:欧姆接触层为透明的导电层或金属层或合金层。
7.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:所述的凹处贯穿或非贯穿P-GaP层。
8.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:所述的第二导电性半导体层相对于第一导电性半导体层更接近P-GaP层,所述的第二导电性半导体层为掺杂型的导电性半导体层,所述的凹处深入第二导电性半导体层的部分厚度。
9.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述的凹处为贯穿P-GaP层,深入第二导电性半导体层的部分厚度为50~200nm。
10.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:所述的反射层为金属反射层。
11.根据权利要求2所述的发光二极管元件,其特征在于:所述的绝缘层为氧化物或氮化物或氟化物。
12.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:所述的绝缘层厚度为60-150nm。
13.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于:所述的欧姆接触层的厚度为2-50nm。
14.根据权利要求2所述的发光二极管元件,其特征在于:所述的欧姆接触层仅形成在反射层与P-GaP层的非凹处之间的界面。
15.根据权利要求2所述的发光二极管元件,其特征在于:所述的欧姆接触层同时位于绝缘层与反射层之间。
16.一种发光二极管元件,其包括:
半导体序列,半导体序列一侧为出光面,另一侧包括半导体的P-GaP层,半导体序列包括第一导电性半导体层、活性层和第二导电性半导体层,
其特征在于:
自P-GaP层的远离出光面的一侧的部分区域形成有凹处和非凹处,所述非凹处形成为多个独立的结构,所述凹处为连续的,所述的非凹处被所述凹处包围形成为相对的多个凸起;
所述P-GaP的掺杂浓度≥5E+19cm-3;所述的凹处非贯穿P-GaP层。
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