[发明专利]一种发光二极管元件

权利要求书

1.一种发光二极管元件，其包括：

半导体序列，半导体序列一侧为出光面，另一侧包括半导体的P-GaP层，半导体序列包括第一导电性半导体层、活性层和第二导电性半导体层，

其特征在于：

自P-GaP层的远离出光面的一侧的部分区域形成有凹处和非凹处，所述非凹处形成为多个独立的结构，所述凹处为连续的，所述的非凹处被所述凹处包围形成为相对的多个凸起；

所述P-GaP的掺杂浓度≥5E+19cm^-3；

所述P-GaP层的非凹处一侧设置有欧姆接触层，欧姆接触层与P-GaP层的非凹处接触。

2.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：凹处内设置有透明绝缘层；透明绝缘层的远离凹处表面的一侧和P-GaP层的非凹处一侧设置有反射层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：欧姆接触层与P-GaP层的非凹处接触的接触面为第一接触面，第一接触面占凹处与非凹处的总的水平面积的比例为10%～50%。

4.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：欧姆接触层与P-GaP层的非凹处接触的接触面为第一接触面，第一接触面占凹处与非凹处的总的水平面积的比例为12.5%～25%。

5.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述多个凹处的顶面可以为圆形、方形或三角形或五角形形状。

6.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：欧姆接触层为透明的导电层或金属层或合金层。

7.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的凹处贯穿或非贯穿P-GaP层。

8.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的第二导电性半导体层相对于第一导电性半导体层更接近P-GaP层，所述的第二导电性半导体层为掺杂型的导电性半导体层，所述的凹处深入第二导电性半导体层的部分厚度。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述的凹处为贯穿P-GaP层，深入第二导电性半导体层的部分厚度为50~200nm。

10.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的反射层为金属反射层。

11.根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的绝缘层为氧化物或氮化物或氟化物。

12.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的绝缘层厚度为60-150nm。

13.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的欧姆接触层的厚度为2-50nm。

14.根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的欧姆接触层仅形成在反射层与P-GaP层的非凹处之间的界面。

15.根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的欧姆接触层同时位于绝缘层与反射层之间。

16.一种发光二极管元件，其包括：

半导体序列，半导体序列一侧为出光面，另一侧包括半导体的P-GaP层，半导体序列包括第一导电性半导体层、活性层和第二导电性半导体层，

其特征在于：

自P-GaP层的远离出光面的一侧的部分区域形成有凹处和非凹处，所述非凹处形成为多个独立的结构，所述凹处为连续的，所述的非凹处被所述凹处包围形成为相对的多个凸起；

所述P-GaP的掺杂浓度≥5E+19cm^-3；所述的凹处非贯穿P-GaP层。