[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一衬底，具有相反的第一侧和第二侧，

第一导电层，位于所述第一衬底的第一侧上；以及

第二衬底，具有相反的第一侧和第二侧，所述第二衬底的第二侧接合到所述第一衬底的第一侧，

其中，

所述第二衬底包括：

半导体材料，以及

至少一个电路元件，电耦合到所述第一导电层，并且所述至少一个电路元件包括以下项中的至少一者：

肖特基二极管，由所述半导体材料和第一接触结构配置，

电容器，具有所述半导体材料的第一电极，或

所述半导体材料的电阻器。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二导电层，位于所述第二衬底的第一侧之上，并且电耦合到所述至少一个电路元件；以及

至少一个导电通孔，从所述第二衬底的第一侧延伸到所述第二衬底的第二侧，并且将所述第二导电层电耦合到所述第一导电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述至少一个电路元件包括所述肖特基二极管，

所述半导体材料包括位于所述第二衬底的第一侧上的第一掺杂区域，并且

所述第一掺杂区域与所述第一接触结构形成肖特基接触以配置所述肖特基二极管。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括第二接触结构，其中：

所述半导体材料还包括位于所述第二衬底的第一侧上的第二掺杂区域，并且

所述第二掺杂区域与所述第二接触结构形成欧姆接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述半导体材料包括：

第一部分，包括所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域两者，以及

第二部分，与所述第一部分电隔离，并且

所述半导体器件还包括连接件，所述连接件电耦合到所述第一接触结构并从所述第一部分延伸到所述第二部分。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

至少一个导电通孔，从所述第二衬底的第一侧延伸到所述第二衬底的第二侧，并且将所述第一接触结构或所述第二接触结构中的至少一者电耦合到所述第一导电层。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述第二衬底还包括埋置腔，所述埋置腔沿所述第二衬底的第一侧和所述第二衬底的第二侧之间的厚度方向至少部分地与所述第一掺杂区域交叠。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述至少一个电路元件包括所述电容器，

所述电容器包括所述多个半导体材料的多个指状物，

所述多个指状物包括配置所述电容器的第一电极的第一指状物以及配置所述电容器的第二电极的第二指状物，并且

所述第一指状物和所述第二指状物相互交叉。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一衬底之上形成至少一个晶体管；

在所述第一衬底之上形成再分布结构，所述再分布结构电耦合到所述至少一个晶体管；

蚀刻第二衬底的半导体材料以形成所述半导体材料的多个第一指状物和所述半导体材料的多个第二指状物，其中，所述多个第一指状物和所述多个第二指状物相互交叉以配置具有梳状结构的电容器；

将所述第一衬底接合到所述第二衬底；

蚀刻延伸穿过所述第二衬底的至少一个通孔，以部分地暴露所述再分布结构；以及

将至少一种导电材料沉积在：

所述通孔中，以形成电耦合到所述再分布结构的导电通孔，并且

所述第二衬底之上，以形成第一接触结构，所述第一接触结构将所述导电通孔电耦合到所述电容器的多个第一指状物。

10.一种半导体器件，包括：

衬底，包括半导体材料；以及

无源电路，至少包括第一电路元件和第二电路元件，所述第一电路元件和第二电路元件通过所述半导体材料的一部分彼此电耦合，

其中，

所述第一电路元件是肖特基二极管、电容器和电阻器中的一者，

所述第二电路元件是所述肖特基二极管、所述电容器和所述电阻器中的另一者，

所述肖特基二极管包括接触结构和所述半导体材料的掺杂区域，所述掺杂区域与所述接触结构肖特基接触并围绕所述接触结构延伸，

所述电容器包括所述半导体材料的多个交叉指状物，所述多个交叉指状物配置所述电容器的电极，并且

所述电阻器包括所述半导体材料的条带，所述条带具有曲折形状。