[发明专利]包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备

权利要求书

1.一种薄膜结构，包括：

衬底；

在所述衬底上并与所述衬底间隔开的金属层；以及

在所述衬底和所述金属层之间的二维材料层，所述二维材料层被配置成阻挡所述金属层和所述衬底之间的电子转移。

2.根据权利要求1所述的薄膜结构，其中所述金属层的电阻率通过所述二维材料层降低。

3.根据权利要求1所述的薄膜结构，其中所述二维材料层包括二维绝缘体。

4.根据权利要求3所述的薄膜结构，其中所述二维绝缘体包括BN、MnO₂、MoO₃、GaSe、Ga₂N₃或As₂S₃。

5.根据权利要求3所述的薄膜结构，进一步包括：

在所述二维材料层和所述金属层之间的石墨烯层。

6.根据权利要求5所述的薄膜结构，其中

所述金属层直接在所述石墨烯层上。

7.根据权利要求1所述的薄膜结构，其中所述金属层包括W、Mo、Co、Ru、Rh或Ir。

8.根据权利要求1所述的薄膜结构，其中

所述金属层直接在所述二维材料层上。

9.一种电子器件，包括：

包括半导体材料的沟道层；

在所述沟道层上并与所述沟道层间隔开的栅电极；以及

在所述沟道层和所述栅电极之间的二维材料层，所述二维材料层被配置为阻挡所述栅电极和所述沟道层之间的电子转移。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中所述二维材料层包括二维绝缘体。

11.根据权利要求10所述的电子器件，其中所述二维绝缘体包括BN、MnO₂、MoO₃、GaSe、Ga₂N₃或As₂S₃。

12.根据权利要求9所述的电子器件，进一步包括：

在所述二维材料层和所述栅电极之间的石墨烯层。

13.根据权利要求9所述的电子器件，进一步包括：

在所述沟道层和所述二维材料层之间的电荷俘获层。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其中所述电荷俘获层包括俘获层和隧穿氧化物层。

15.根据权利要求13所述的电子器件，其中所述沟道层包括多晶硅。

16.根据权利要求13所述的电子器件，包括：

多个存储单元，每个存储单元包括所述沟道层、所述电荷俘获层、所述二维材料层和所述栅电极，

其中所述多个存储单元在与所述沟道层、所述电荷俘获层、所述二维材料层和所述栅电极沿其排列的方向垂直的方向上排列。

17.根据权利要求16所述的电子器件，进一步包括：

柱形绝缘体，

其中所述沟道层、所述电荷俘获层、所述二维材料层和所述栅电极围绕所述柱形绝缘体的横向侧，

所述沟道层在所述柱形绝缘体的所述横向侧和所述二维材料层之间，以及

所述电荷俘获层在所述沟道层和所述二维材料层之间。

18.根据权利要求17所述的电子器件，进一步包括：

在所述栅电极和所述二维材料层之间的石墨烯层。