[发明专利]共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用

权利要求书

1.共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，其特征在于，利用顶栅底接触结构的共聚物有机场效应晶体管和外连线，构建多模态功率集成电路，通过改变共聚物有机场效应晶体管栅极偏压实现器件N型/P型极性的转化；所述顶栅底接触结构的共聚物有机场效应晶体管包括衬底、源漏电极、半导体层、介质层和栅电极，顶栅底接触结构的共聚物有机场效应晶体管的制备过程需满足以下制备过程：

步骤S1，在基板上蒸镀金属源漏极及引线：在基板上吸附掩膜版并放入蒸镀仪中，依次蒸镀金属Ni，Cu形成金属源漏极和引线；

步骤S2，制作半导体层：将沉积好源漏电极及引线的基板吸附至旋涂仪上，将3-15mg/ml的DPPT-TT/DCB溶液滴至表面，以200-800 rpm，150-250 rpm/s的加速度持续8-13s；1000-2000 rpm, 200-800 rpm/s的加速度持续40-100s；0rpm，200~800 rpm/s的加速度持续2-8s旋涂到基板表面；

步骤S3，制作介质层：将40-150 mg/ml的PMMA/NBA溶液滴至表面，以200-800 rpm，150-250 rpm/s的加速度持续2-5s；1000-2000 rpm, 200-800 rpm/s的加速度持续40-100s；0rpm, 200~800 rpm/s的加速度持续2-8s旋涂到半导体层表面；

步骤S4，蒸镀栅电极：利用光学显微镜对准栅极掩膜版，将掩膜版吸附至基板表面，然后放入蒸镀仪中蒸镀金属Cu；

步骤S2中，还包括加热退火过程：在80℃下加热5min，之后在150℃下退火1h；

步骤S3中，还包括加热退火过程：之后在80℃下退火2h。

2.根据权利要求1所述的共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，其特征在于，步骤S2中，所述DPPT-TT/DCB溶液中DPPT-TT的浓度为5mg/ml。

3.根据权利要求1所述的共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，其特征在于，步骤S2中，所述DPPT-TT/DCB溶液的旋涂参数设置为以500 rpm，200 rpm/s的加速度持续10s；1500 rpm, 500 rpm/s的加速度持续60s；0rpm，500 rpm/s的加速度持续5s。

4.根据权利要求1所述的共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，其特征在于，步骤S3中，所述PMMA/NBA溶液中PMMA的浓度为80 mg/ml。

5.根据权利要求1所述的共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，其特征在于，步骤S3中，所述PMMA/NBA溶液旋涂参数设置为500 rpm，200 rpm/s的加速度持续3s；1500 rpm, 500 rpm/s的加速度持续60s；0rpm，500 rpm/s的加速度持续5s。

6.根据权利要求1所述的共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，其特征在于，所述基板材料包括玻璃基板、柔性塑料、体硅SOI、碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟或锗硅材料。

7.根据权利要求1所述的共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，其特征在于，步骤S4中，以0.1Å/s的速度蒸镀5 nm的金属Cu，之后以0.5 Å/s的速度蒸镀70nm的金属Cu，接最后以0.1 Å/s的速度蒸镀5 nm的金属Cu。

8.根据权利要求1所述的共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，其特征在于，所述多模态功率集成电路为H桥电路。