[发明专利]一种防电流反灌的电路结构

权利要求书

1.一种防电流反灌的电路结构，包括功率开关管M1、比较器CMP和前置驱动电路Driver；所述功率开关管M1的IN端与比较器CMP的同相输入端相连，所述功率开关管M1的OUT端与比较器CMP的反相输入端相连，比较器CMP的输出端与前置驱动电路Driver适配连接，前置驱动电路Driver与功率开关管M1适配连接，用于驱动功率开关管M1导通；其特征在于还包括运算放大器S1，运算放大器S1的反馈端B与功率开关管M1的OUT端相连，运算放大器S1的电压输入端A接输入电压，该输入电压的值低于功率开关管M1的IN端电压值，运算放大器S1的输出端与前置驱动电路Driver适配连接；采用运算放大器闭环负反馈特性，使运算放大器S1的反馈端B的电压跟随电压输入端A的电压，从而确保功率开关管M1的IN端电压始终大于功率开关管M1的OUT端电压。

2.如权利要求1所述的防电流反灌的电路结构，其特征在于所述功率开关管M1由两个同样的MOS管背靠背串联而成。

3.如权利要求2所述的防电流反灌的电路结构，其特征在于两个所述MOS管均为N沟道MOS管，且它们的衬底级均寄生有二极管，两个MOS管的源极串联在一起，两个MOS管的栅极均与所述前置驱动电路相连，其中一个MOS管的漏极为功率开关管M1的IN端，另一个MOS管的漏极为功率开关管M1的OUT端。

4.如权利要求1~3中任一项所述的防电流反灌的电路结构，其特征在于所述功率开关管M1的IN端与电阻R的一端相连，电阻R的另一端与运算放大器S1的电压输入端A相连，形成所述输入电压。

5.如权利要求4所述的防电流反灌的电路结构，其特征在于与运算放大器S1的电压输入端A相连的电阻R一端串联电流源I后接地。