[发明专利]自动参考存储器单元读取的方法和存储器设备

说明书

本申请涉及自动参考存储器单元读取的方法和存储器设备。描述了与自动参考存储器单元读取技术有关的方法、系统和装置。在将用户数据存储在存储器单元中之前，自动参考读取可以对用户数据进行编码以包括具有第一逻辑状态的一定数量的位。随后，可以通过向存储器单元施加读取电压，同时通过激活具有第一逻辑状态的存储器单元的子集来监测一系列开关事件，来执行对编码用户数据的读取。自动参考读取可以识别与存储器单元的子集的中值阈值电压值相关的特定开关事件。然后，自动参考读取可以确定参考电压，所述参考电压考虑了存储器单元的子集的阈值电压分布的统计特性。自动参考读取可以基于确定参考电压来识别要保持读取电压的持续时间。

分案申请的相关信息

本申请是申请号为201880081341.2、申请日为2018年12月21日、发明名称为“自动参考存储器单元读取的方法和存储器设备”的中国发明专利申请的分案申请。

交叉引用

本申请要求Mirichigni等人于2018年12月21日提交的，题为“自动参考存储器单元读取技术(Auto-Referenced Memory Cell Read Techniques)”的PCT申请第PCT/US2018/067287号的专利优先权，该PCT申请要求Mirichigni等人于2017年12月22日提交的，题为“自动参考存储器单元读取技术(Auto-Referenced Memory Cell ReadTechniques)”的美国专利申请第15/853,328号的专利优先权，申请各自已转让给其受让人，并且各自被明确地通过引用整体并入本文。

技术领域

技术领域涉及自动参考存储器单元读取技术。

背景技术

以下整体涉及操作存储器阵列，并且更具体地涉及自动参考存储器单元读取技术。

存储器装置被广泛用于在诸如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中存储信息。信息通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储。例如，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其他系统中，可以存储多于两个状态。为了访问存储的信息，电子装置的组件可以读取或感测存储器装置中的存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可以在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，包括磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、闪存存储器、相变存储器(PCM)以及其他存储器装置。存储器装置可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元即使在没有外部电源的情况下也可在很长一段时间内保持其存储的逻辑状态。易失性存储器单元可能会随时间推移而失去其存储状态，除非通过外部电源对其进行定期刷新。

通常，改进存储器装置可以包括增大存储器单元密度、增大读/写速度、增大可靠性、增大数据保持力、减小功耗或降低制造成本以及其他量度。当存储器单元表现出可变的电气特性时，可能需要一种稳健的读取技术来提高存储器单元的性能和可靠性。

发明内容

描述了一种方法。所述方法可以包括：在控制器处，从主机装置接收输入向量的第一组位，将所述第一组位中具有第一逻辑值的至少一部分与存储在所述控制器处的阈值进行比较，至少部分地基于所述比较来分配存储器块以存储一或多个位和所述第一组位，生成第二组位，所述第二组位包含所述第一组位中的至少一些和所述一或多个位，以及发起将所生成的第二组位存储在所述存储器块中。

描述了一种方法。所述方法可以包括：向存储器阵列施加激活电压以激活所述存储器阵列的一组存储器单元，在第一时间，至少部分地基于施加所述激活电压来确定第一组存储器单元已经被激活，在所述第一时间之后的一段持续时间内保持施加所述激活电压，以及在所述持续时间结束之后，读取包括所述第一组存储器单元的第二组存储器单元的逻辑状态。