[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202210950578.8 申请日: 2022-08-09
公开(公告)号: CN115835732A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 中井佑亮;石川琢磨;谷川兼一;川田宽人 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: H10K59/50 分类号: H10K59/50
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 马建军;邓毅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置具有:

第1层,其包含第1光半导体元件;

第2层,其包含转换效率比所述第1光半导体元件低的第2光半导体元件;以及

透镜部件,

所述第1光半导体元件和所述第2光半导体元件在所述透镜部件的光轴方向上位于所述透镜部件与所述透镜部件的焦点之间,从所述光轴方向观察至少一部分重叠,被配置成所述第2光半导体元件比所述第1光半导体元件更靠近所述焦点。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该半导体装置具有:

第3层,其包含第3光半导体元件;以及

控制基板,其控制所述第1光半导体元件、所述第2光半导体元件和所述第3光半导体元件,

所述第2层配置在所述控制基板上,

所述第1层配置在所述第2层上,

所述第3层配置在所述第1层上,

所述透镜部件配置在所述第3层上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述焦点位于所述控制基板的内部。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该半导体装置具有:

第3层,其包含第3光半导体元件;以及

控制基板,其控制所述第1光半导体元件、所述第2光半导体元件和所述第3光半导体元件,

所述第3层配置在所述控制基板上,

所述第2层配置在所述第3层上,

所述第1层配置在所述第2层上,

所述透镜部件配置在所述第1层上。

5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1光半导体元件和第2光半导体元件具有发光层,所述发光层配置在由所述透镜部件的外周和所述焦点围成的圆锥内。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1光半导体元件是第1发光元件,

所述第2光半导体元件是第2发光元件,

所述第2发光元件发出波长比所述第1发光元件发出的光的波长长的光。

7.根据权利要求1~4中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1光半导体元件和第2光半导体元件具有光电转换元件,所述光电转换元件配置在由所述透镜部件的外周和所述焦点围成的圆锥内。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1光半导体元件是检测光的第1受光元件,

所述第2光半导体元件是检测光的第2受光元件,

所述第2受光元件检测波长比所述第1受光元件检测的光的波长长的光。

9.根据权利要求1~8中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,

由所述第1光半导体元件、所述第2光半导体元件和所述透镜部件构成的集合部沿着与所述光轴方向垂直的平面彼此相邻地配置有多个。

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