[发明专利]一种单晶炉及单晶炉的拉晶温度控制方法

权利要求书

1.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括炉体和传热组件，所述炉体用于单晶硅棒的生长；

沿所述炉体的轴线方向，所述传热组件设置在所述炉体内；

所述传热组件用于与所述单晶硅棒接触，并传导所述单晶硅棒的热量。

2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述传热组件包括传热件，所述传热件包括穿设于所述炉体内的筒体；

所述筒体用于与所述单晶硅棒接触，并传导所述单晶硅棒的热量。

3.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于，所述传热组件还包括导热件，所述导热件设置于所述传热件上和/或所述炉体的内表面。

4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述导热件的材质包括碳碳材质、石墨材质和硅脂中任意一种。

5.根据权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述筒体的内径小于所述单晶硅棒的直径；

所述传热件还包括设置于所述筒体外表面的凸缘，所述凸缘沿所述筒体径向朝背离轴线的方向延伸，所述凸缘用于与所述炉体抵接配合；

所述单晶硅棒的头部与所述筒体的端部接触推动所述凸缘与所述炉体分离。

6.根据权利要求5所述的单晶炉，其特征在于，所述导热件固定于所述传热件的外表面，和/或，所述导热件固定于所述炉体的内表面。

7.根据权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，所述传热件还包括压板；

所述导热件沿所述凸缘的周向设置于所述凸缘背离所述单晶硅棒的表面，所述压板叠放于所述凸缘上以夹持固定所述导热件。

8.根据权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述筒体的内径大于所述单晶硅棒的直径；

所述单晶硅棒穿过所述筒体，所述筒体将所述单晶硅棒的热量传导至所述炉体。

9.根据权利要求8所述的单晶炉，其特征在于，所述筒体的内表面和外表面均设置有所述导热件；

所述筒体的内表面的导热件用于与所述单晶硅棒接触，所述筒体的外表面的导热件用于与所述炉体接触。

10.根据权利要求2至9任一项所述的单晶炉，其特征在于，所述单晶炉还包括旋转组件；

所述旋转组件与所述炉体连接，所述旋转组件用于驱动所述传热件相对所述炉体转动。

11.根据权利要求10所述的单晶炉，其特征在于，所述旋转组件包括外定子和内转子；

所述外定子与所述炉体固定连接，所述内转子穿设于所述外定子内且与所述外定子转动连接；

所述内转子用于驱动所述传热件相对所述炉体转动。

12.根据权利要求10所述的单晶炉，其特征在于，所述旋转组件包括转动环和回转传动机构；

所述回转传动机构与所述炉体固定连接，所述回转传动机构用于带动所述转动环相对所述炉体转动；

所述转动环用于驱动所述传热件相对所述炉体转动。

13.根据权利要求10所述的单晶炉，其特征在于，所述炉体包括炉体主室、炉体副室和隔离阀；

所述隔离阀连接于所述炉体主室和所述炉体副室之间；

所述旋转组件设置于所述隔离阀与所述炉体主室之间，或，所述旋转组件设置于所述隔离阀与所述炉体副室之间。

14.根据权利要求13所述的单晶炉，其特征在于，所述炉体副室的侧壁设置有水冷散热结构。

15.一种单晶炉的拉晶温度控制方法，其特征在于，所述单晶炉的炉体内设置有相对所述炉体可转动的传热组件，所述方法包括：

在所述单晶硅棒与传热组件接触时，通过所述传热组件传导所述单晶硅棒的热量，其中，所述传热组件的转速与所述单晶硅棒的转速相同。