[发明专利]显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

第一发光器件，包括第一发光层，所述第一发光层包括第一激基复合物；

第二发光器件，包括第二发光层，所述第二发光层包括第二激基复合物；

所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

0＜ΔE_HL(GH)-ΔE_HL(RH)＜0.5eV；

其中，ΔE_HL(GH)为所述第一激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差；

ΔE_HL(RH)为所述第二激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光层包括第一P型材料和第一N型材料，所述第一P型材料和所述第一N型材料在电或光的作用下形成所述第一激基复合物；

所述第二发光层包括第二P型材料和第二N型材料，所述第二P型材料和所述第二N型材料在电或光的作用下形成所述第二激基复合物；

所述第一P型材料和所述第二P型材料满足：

|HOMO(GH-P)-HOMO(RH-P)|≤0.36eV；

|HOMO(GH-P)|＞|HOMO(RH-P)|；

其中，HOMO(GH-P)为所述第一P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(RH-P)为所述第二P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一N型材料和所述第二N型材料满足：

|LUMO(RH-N)-LUMO(GH-N)|≤0.32eV；

|LUMO(RH-N)|＞|LUMO(GH-N)|；

其中，LUMO(RH-N)为所述第二N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级，LUMO(GH-N)为所述第一N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一P型材料和所述第二P型材料满足：

1/100≤μh(RH-P)/μh(GH-P)≤100；

其中，μh(RH-P)为所述第二P型材料的空穴迁移率，μh(GH-P)为所述第一p型材料的空穴迁移率；

所述第一N型材料和所述第二N型材料满足：

1/100≤μe(RH-N)/μe(GH-N)≤100；

其中，μe(RH-N)为所述第二N型材料的电子迁移率，μe(GH-N)为所述第一N型材料的电子迁移率。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

5nm≤Lpeak(RH)-Lpeak(GH)≤30nm；

其中，Lpeak(RH)为第二激基复合物的发射光谱的波长，Lpeak(GH)为第一激基复合物的发射光谱的波长。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

0.05eV≤T1(GH)-T1(RH)≤0.25eV；

其中，T1(GH)为所述第一激基复合物的最低三重态能量，T1(RH)为所述第二激基复合物的最低三重态能量。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件还包括第一发光辅助层和第一空穴传输层，所述第一发光辅助层设于所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间；

沿所述第一空穴传输层至所述第一发光层方向，所述第一发光辅助层依次包括第二子辅助层和第一子辅助层，所述第一子辅助层和所述第二子辅助层满足：

0≤L2/(L1+L2)≤8/9；

其中，L1为所述第一子辅助层的厚度，L2为所述第二子辅助层的厚度。