[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：

一栅极结构，于一基材上；

一介电膜堆叠，于该栅极结构和该基材上，其中该介电膜堆叠包含：

一第一层间介电层，于该基材和该栅极结构上；

一源极/漏极元件于该基材中；

一阻障层，于该第一层间介电层上；以及

一第二层间介电层，于该阻障层上；以及

延伸穿过该介电膜堆叠的一接触，该接触电性连接至该源极/漏极元件，其中

一接触侧壁的一上部具有一第一斜度；

该接触侧壁的一下部具有不同于该第一斜度的一第二斜度；以及

自该第一斜度至该第二斜度的一转折是存在于该接触的一部分，且该接触的该部分延伸穿过该阻障层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该阻障层的一厚度实质小于该第一层间介电层、该阻障层和该第二层间介电层的一总厚度的10％。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二斜度大于该第一斜度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二斜度的范围由85°至89.5°。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二层间介电层具有一顶表面，且该顶表面实质平行于该接触的一顶表面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一斜度的一最小值与一最大值的一比值不大于1.88。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包含：

沉积一第一介电材料于一基材上，且沉积一栅极结构于该基材上，其中该基材具有一源极/漏极元件；

沉积一阻障材料于该第一介电材料上；

沉积一第二介电材料于该阻障材料上；

创设一图案化遮罩层于该第二介电材料的一顶表面上；

蚀刻一两斜度(two-slope)接触开口，其中该蚀刻该两斜度接触开口的操作是通过：

第一蚀刻制程，利用透过在该图案化遮罩层内的一第一开口蚀刻该第二介电材料，来暴露出该阻障材料的一顶表面，其中该第一蚀刻制程对该阻障层材料是具选择性的；

第二蚀刻制程，利用透过在该第二介电材料内的一第二开口蚀刻该阻障材料，来暴露出该第一介电材料的一顶表面，其中该第二蚀刻制程对该阻障层材料的选择性小于该第一蚀刻制程；以及

第三蚀刻制程，利用透过在该阻障材料内的一第三开口蚀刻该第一介电材料，来暴露出该基材的一顶表面，其中该第三蚀刻制程是高度异向性；以及

以一导电材料填充该两斜度接触开口，其中该导电材料是电性连接至源极/漏极元件。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该蚀刻该两斜度接触开口的操作还包含以该第三蚀刻制程蚀刻该第一介电材料，其中该第一介电材料的移除速率大于该阻障材料的移除速率。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该蚀刻该第二介电材料的操作还包含：

使用该第一蚀刻制程蚀刻该第二介电材料；

在该阻障材料被该第一蚀刻制程暴露前，暂停该第一蚀刻制程；以及

使用该第二蚀刻步骤，蚀刻该第二介电材料的一余留物，其中该第二介电材料的该余留物是在该阻障材料之上且在该图案化遮罩层的该第一开口之下，且该第二介电材料的移除速率大于该阻障材料的移除速率。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含以该第三蚀刻制程蚀刻该第二介电材料，其中该第一介电材料的移除速率不大于该阻障材料的移除速率，且在暴露出该第一介电材料的该顶表面之前，暂停该第一蚀刻制程。