[发明专利]存储器存储设备及其操作方法、测试方法和电子设备

说明书

提供了执行实时监测的存储器存储设备。存储器存储设备包括：存储器控制器；和状态指示模块/电路，其中，存储器控制器被配置为执行第一初始化操作和第二初始化操作(第一初始化操作和第二初始化操作响应于存储器存储设备的接通而执行)，以生成关于在其中执行第一初始化操作的存储器存储设备的状态的第一状态参数，并且生成关于在其中执行第二初始化操作的存储器存储设备的状态的第二状态参数。状态指示电路包括：第一晶体管，其被配置为基于第一状态参数来操作；第一电阻器，其连接到第一晶体管；第二晶体管，其被配置为基于第二状态参数来操作；和第二电阻器，其连接到第二晶体管。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月17日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0107788号韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

示例实施例涉及存储器存储设备、存储器存储设备的操作方法、测试方法和/或电子设备。

背景技术

半导体存储器设备包括易失性存储器设备和非易失性存储器设备。虽然易失性存储器设备的读写速度高，但是当电源关断时，易失性存储器设备可能丢失所存储的内容。相反，由于非易失性存储器设备即使在电源关断时也会保留所存储的内容，因此非易失性存储器设备被用来存储要保留的内容，而不管电源存在或不存在。

例如，易失性存储器设备包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等中的一个或多个。非易失性存储器设备即使在电源关断时也会保留所存储的内容。例如，非易失性存储器设备包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等中的一个或多个。闪速存储器可以被分为NOR型闪速存储器和NAND型闪速存储器。

在电源接通易失性存储器设备之后，可以执行初始化操作。当制造商通过将易失性存储器设备附接到产品上来使用易失性存储器设备时，有必要/期望检查易失性存储器设备的状况，并且执行易失性存储器设备的调试。此时，需要或期望用于已经执行了初始化操作的易失性存储器设备的实时监测方法。

发明内容

一些示例实施例提供了执行实时监测的存储器存储设备。

可替代地或附加地，一些示例实施例提供了操作执行实时监测的存储器存储设备的方法。

可替代地或附加地，一些示例实施例提供了用于执行实时监测的测试方法。

可替代地或附加地，一些示例实施例提供了执行实时监测的电子设备。

然而，示例实施例不限于本文阐述的一个集合，并且对于本发明所属领域的普通技术人员来说，通过参考下面给出的对本发明构思的详细描述，本发明构思的其他方面将变得更加明显。

根据一些示例实施例，提供了一种存储器存储设备，包括：存储器控制器；和状态指示模块或电路，其中，存储器控制器被配置为执行响应于存储器存储设备的接通的第一初始化操作和第二初始化操作，以生成关于在其中执行第一初始化操作的存储器存储设备的状态的第一状态参数，并且生成关于在其中执行第二初始化操作的存储器存储设备的状态的第二状态参数。状态指示电路包括：第一晶体管，其基于第一状态参数来操作；第一电阻器，其连接到第一晶体管；第二晶体管，其基于第二状态参数来操作；和第二电阻器，其连接到第二晶体管。