[发明专利]使用肼基前体沉积氮化硼膜在审
| 申请号： | 202210954423.1 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115704091A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | C.德泽拉;T.布兰夸特 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;C07F5/02;C01B35/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 肼基前体 沉积 氮化 | ||
1.一种形成包含无定形氮化硼的层的方法，该方法包括：
在反应室内提供衬底；
向反应室提供包含肼或肼衍生物的肼基硼烷或硼烷加合物的前体；以及
使用该前体形成包含氮化硼的非晶层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前体表示为：
其中，R1至R4中的至少一个包含BR’R”，R’和R”独立地选自由H、烷基和芳基构成的组。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，R1至R4中的至少一个包括H、烃基或酰肼基。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，R1至R4中的一至三个包含独立选择的烃官能团。
5.根据权利要求4的方法，其中，所述烃官能团中的至少一至三个是C1至C10烷基。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，所述烃官能团中的至少一个是C6至C10芳基。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，R1至R4中的至少一个选自由烷基、芳基、肼、肼衍生的基团、卤素、氢、两性离子变体、BH2和BH3构成的组。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，介电层的形成包括包含多个循环的循环沉积过程，其中每个循环包括前体脉冲和反应物脉冲，其中前体脉冲包括将衬底或沉积在其上的层暴露于所述前体，并且其中反应物脉冲包括将衬底或沉积在其上的层暴露于反应物。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，在衬底上形成介电层包括使用化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来沉积所述无定形氮化硼的薄膜。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无定形氮化硼的介电常数小于2。
11.一种根据权利要求1-10中任一项所述的方法形成的结构。
12.一种制造结构的方法，包括：
在衬底上形成第一层；以及
在沉积第一层之后，通过执行包括多个循环的沉积过程在第一层上形成蚀刻停止层或介电层，其中每个循环包括前体脉冲和反应物脉冲，其中前体脉冲包括将导电材料的第一层暴露于前体，并且其中反应物脉冲包括将衬底暴露于反应物，
其中，前体包含肼或肼衍生物的肼基硼烷或硼烷加合物。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述前体表示为：
其中，R1至R4中的至少一个包含BR’R”，R’和R”独立地选自由H、烷基和芳基构成的组。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述肼衍生物包含一至三个独立选择的烃官能团。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述烃官能团中的至少一至三个是C1至C10烷基。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述烃官能团中的至少一个是C6至C10芳基。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，R1至R4中的至少一个选自由烷基、芳基、肼、肼衍生的基团、卤素、氢、BH2和BH3构成的组。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP私人控股有限公司，未经ASMIP私人控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210954423.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
