[发明专利]存储器操作完成标记

说明书

本申请涉及一种存储器操作完成标记。存储器装置的完成标记可指示至少一个存取操作在所述存储器装置处是否已完成。控制器可轮询所述完成标记，如果所述完成标记指示至少一个存取操作在所述存储器装置处已完成，那么所述控制器可轮询所述存储器装置的状态寄存器，以获得有关所述存储器装置处的一或多个已完成存取操作的额外信息。

交叉参考

本专利申请要求卡列洛(Cariello)等人于2021年8月12日提交的标题为“存储器操作完成标记(COMPLETION FLAG FOR MEMORY OPERATIONS)”的第17/400,942号美国专利申请的优先权，所述申请转让给本受让人并且以引用的方式明确并入本文中。

技术领域

下文总体上涉及存储器的一或多个系统，且更确切地说，涉及存储器操作完成标记。

背景技术

存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等等。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储。例如，二进制存储器单元可编程成两个支持状态中的一个，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持超过两个可能状态，其中的任一个可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程为对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可随时间推移而丢失它们的编程状态，除非它们通过外部电源周期性地刷新。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)可将它们的编程状态维持很长一段时间，即使在不存在外部电源的情况下也如此。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含：存储器裸片，其包括多个平面；寄存器，其与所述存储器裸片相关联且配置成存储多个状态位，每个状态位对应于所述多个平面中的相应者；以及用于所述存储器裸片的控制器，所述控制器配置成使所述设备：至少部分地基于所述多个平面中的第一平面处的存取操作的完成而设置所述寄存器的对应于所述第一平面的第一状态位，至少部分地基于所述第一平面处的所述存取操作的所述完成而设置与所述存储器裸片相关联的指示所述存储器裸片处的至少一个存取操作的完成的标记，至少部分地基于指示至少一个存取操作的所述完成的所述标记被设置而从第二控制器接收输出与所述第一平面相关联的数据的命令，以及至少部分地基于所述命令而向所述第二控制器输出对应于所述第一平面处的所述存取操作的数据。

描述一种设备。所述设备可包含配置成与存储器系统的存储器裸片耦合的控制器，其中所述控制器配置成使所述设备：识别与所述存储器裸片相关联的标记指示所述存储器裸片处的至少一个存取操作的完成，所述存储器裸片包括多个平面；至少部分地基于所述标记指示所述存储器裸片处的至少一个存取操作的所述完成，轮询与所述存储器裸片相关联且配置成存储多个状态位的寄存器，每个状态位对应于所述多个平面中的相应者；至少部分地基于轮询所述寄存器，至少部分地基于所述寄存器的对应于所述第一平面的第一状态位指示所述第一平面处的所述存取操作的所述完成，识别所述多个平面中的第一平面处的存取操作的完成；至少部分地基于识别出所述第一平面处的所述存取操作的所述完成，向所述存储器裸片传输输出与所述第一平面相关联的数据的命令；以及至少部分地基于所述命令，从所述存储器裸片接收对应于所述第一平面处的所述存取操作的数据。