[发明专利]具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件

权利要求书

1.一种用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构，所述结构包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的漂移阱；

位于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；

位于所述半导体衬底上的栅极介电层；

位于所述漂移阱上方的所述半导体衬底上的缓冲介电层，所述缓冲介电层包括与所述漏极区相邻的第一侧边缘、与所述栅极介电层相邻的第二侧边缘、从所述第二侧边缘延伸到所述第一侧边缘的第一分段、以及从所述第二侧边缘朝向所述第一侧边缘延伸的多个第二分段，所述第一分段具有第一厚度，并且所述第二分段中的每一个具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及

横向位于所述源极区和所述漏极区之间的栅极电极，所述栅极电极包括与所述缓冲介电层重叠的第一部分和与所述栅极介电层重叠的第二部分。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述栅极电极与所述缓冲介电层的所述第二分段完全重叠。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述栅极电极与所述缓冲介电层的所述第二分段部分重叠。

4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二分段从所述第二侧边缘延伸到所述第一侧边缘。

5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述缓冲介电层的所述第一分段被包括在所述缓冲介电层的多个具有所述第一厚度的第一分段中，并且所述第二分段中的每一个横向布置在一对相邻的所述第一分段之间。

6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二分段中的每一个通过第三分段接合到所述缓冲介电层的所述第一分段，并且所述第三分段锥体具有从所述第一厚度逐渐变细到所述第二厚度的第三厚度。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述栅极介电层具有小于所述第一厚度且小于所述第二厚度的第三厚度。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一分段将所述第二分段与所述漏极区分隔开。

9.根据权利要求1所述的结构，还包括：

位于所述漂移阱中的掺杂区，所述掺杂区位于所述缓冲介电层的所述第一分段下方，

其中，所述漂移阱被掺杂为具有第一导电类型，并且所述掺杂区被掺杂为具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。

10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述掺杂区与所述缓冲介电层的所述第一分段共同延伸。

11.根据权利要求9所述的结构，其中，所述漂移阱与所述缓冲介电层的所述第二分段共同延伸。

12.根据权利要求9所述的结构，其中，在所述缓冲介电层的所述第二分段下方不存在所述掺杂区。

13.根据权利要求1所述的结构，其中，所述缓冲介电层的所述第二侧边缘邻接所述栅极介电层。

14.根据权利要求13所述的结构，其中，所述栅极介电层位于所述缓冲介电层的所述第二侧边缘和所述源极区之间。