[发明专利]用于微缩型LED的衬底及其制备方法、外延片

权利要求书

1.一种用于微缩型LED的衬底的制备方法，其特征在于，包括：

(1)提供初始衬底；

(2)在所述初始衬底表面形成负性光刻胶层；

(3)对预设区域的负性光刻胶进行曝光，以形成曝光区和非曝光区；

(4)将步骤(3)得到的初始衬底进行显影，以去除非曝光区的负性光刻胶，形成阵列掩膜，得到中间体；

(5)在所述中间体的表面形成氧化铝膜；

(6)在所述氧化铝膜上形成氧化硅膜；

(7)去除阵列掩膜及其上方的氧化铝膜和氧化硅膜，即得到用于微缩型LED的衬底成品；

步骤(3)中，通过欠曝光工艺对光刻胶进行曝光，以使所述非曝光区内的光刻胶呈上宽下窄的倒梯形状，进而通过显影后形成上宽下窄的倒台状阵列掩膜。

2.如权利要求1所述的用于微缩型LED的衬底的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，通过过显影形成阵列掩膜，以使靠近初始衬底的部分负性光刻胶溶解，在倒台状阵列掩膜的底部形成内切凹部；

其中，过显影的时间为正常显影时间的1.3～2倍。

3.如权利要求1所述的用于微缩型LED的衬底的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，曝光时，掩膜版与初始衬底完全接触，以减少曝光时的驻波效应；

其中，曝光波长为300～450nm，曝光量为正常曝光量的30％-80％。

4.如权利要求2所述的用于微缩型LED的衬底的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，显影时间为30-600s。

5.如权利要求1所述的用于微缩型LED的衬底的制备方法，其特征在于，所述倒台状阵列掩膜的上沿与所述初始衬底所在平面的夹角为45～80°；

相邻所述阵列掩膜之间的间距为0.5～5μm。

6.如权利要求1所述的用于微缩型LED的衬底的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，采用等离体子辅助蒸发工艺沉积0.1～2μm的氧化铝膜；

步骤(7)中，采用等离体子辅助蒸发工艺沉积0.1～2μm的氧化硅膜。

7.一种用于微缩型LED的衬底，其特征在于，其由如权利要求1～6任一项的制备方法制备而得。

8.一种外延片，其特征在于，其包括如权利要求7所述的衬底。

9.如权利要求8所述的外延片，其特征在于，还包括依次设于所述衬底上的氮化铝层、u-GaN层、N-GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层和P-GaN层。

10.一种微缩型LED，其特征在于，其包括如权利要求7所述的衬底。