[发明专利]一种Gd、Ce离子共掺杂高效可见光催化剂BiVO4 在审
申请号: | 202210961188.0 | 申请日: | 2022-08-11 |
公开(公告)号: | CN115155561A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 张凌云;张晓雪;高大明;王青;肖新国 | 申请(专利权)人: | 合肥学院 |
主分类号: | B01J23/22 | 分类号: | B01J23/22;B01J35/00;B01J37/00;B01J37/08;B01J37/03;C02F1/30;C02F101/30 |
代理公司: | 合肥辉达知识产权代理事务所(普通合伙) 34165 | 代理人: | 汪守勇 |
地址: | 230601 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gd ce 离子 掺杂 高效 可见 光催化剂 bivo base sub | ||
一种Gd、Ce离子共掺杂高效可见光催化剂BiVO4的制备方法,属于功能材料领域,首先将柠檬酸与五水硝酸铋、六水硝酸钆、六水硝酸铈混合形成前驱液A,将柠檬酸与偏钒酸铵混合形成前驱液B;接着将A和B混合,调节体系pH值后形成混合溶液C;再将乙二胺四乙酸作为模板剂,直接加入混合溶液C中,形成澄清透明溶胶;最后经过陈化、干燥煅烧即得单斜白钨矿相离子共掺杂Bi1‑x‑yVO4:xGd3+,yCe3+高效可见光催化剂。相比单稀土离子掺杂,本发明选择合适的稀土离子,采用共掺杂方式能够起到很好的协同作用,可以极大的提高BiVO4光催化剂的催化效率,能够高效降解有机污染物亚甲基蓝。
技术领域
本发明属于功能材料领域,涉及一种Gd、Ce离子共掺杂高效可见光催化剂BiVO4的制备方法,具体是一种以乙二胺四乙酸为模板剂,通过溶胶凝胶反应制备单斜白钨矿相离子共掺杂Bi1-x-yVO4:xGd3+,yCe3+高效可见光催化剂的方法。
背景技术
随着人类化学工业的高速发展,不可避免地会产生许多废液污染物,废液中的有机污染物去除正成为污水处理的重点问题。相比常规的物理、化学和生物等处理方法,光催化氧化技术具有高效节能、无二次污染,已在环境和能源领域获得重要应用。其中,在半导体光催化剂研究中,BiVO4作为新型可见光催化剂的一种,以其良好的化学稳定性、光稳定性、可见光响应及无毒无害等特性,引起了广泛的兴趣,取得了许多重要的成果。
但是,研究发现纯的BiVO4结构由于其光生载流子的快速复合,使其光催化效率较低。在过去的几十年里,科学家通过各种办法来提高BiVO4光生载流子的分离效率,包括形貌控制、金属和非金属元素掺杂、半导体异质结复合等。其中,金属离子掺杂是最重要的一种改性方法。在金属离子掺杂改性中有一类特殊的情况,即稀土离子掺杂或共掺杂。稀土离子掺杂或共掺杂主要是通过增加4f电子能级,在半导体光催化剂的价带上构建施主能级,或在导带下构建受主能级,从而减小禁带宽度、扩大吸收光的利用波长、抑制光生电子和空穴的复合,同时增加氧空位缺陷,最终提升半导体光催化剂的光催化性能。
目前,单一稀土离子掺杂研究较多,稀土离子共掺杂研究较少。如硅酸盐学报(廖蕊,2020,5:739-744)采用化学溶液法制备出Nd3+、Y3+、Eu3+掺杂的BiVO4纳米晶,表明稀土离子掺杂可以调控半导体纳米晶的禁带宽度和光生电子-空穴的复合效率;工业水处理(董多,2015,5:52-55)采用柠檬酸络合法制备了单斜型B-Er共掺杂BiVO4光催化剂,表明光催化剂的光催化效率有了较明显提高。中国专利CN 201210112086.8采用水热法制备出多种稀土如La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Dy,Er,Y等掺杂的BiVO4粉体,以亚甲基蓝为模拟污染物,3.0h降解率达到95%以上;中国专利CN 202011065359.9采用液相沉淀法制备出稀土Tb掺杂BiVO4粉体;中国专利CN 202110134650.5采用水热法制备出光催化效果较佳的Er-Fe2O3共掺杂BiVO4可见光催化剂。
发明内容
本发明要解决的技术问题为克服现有BiVO4光生电子-空穴的易复合缺点,相比单稀土离子掺杂,选择合适的稀土离子,采用共掺杂方式能够起到很好的协同作用,可以极大的提高BiVO4光催化剂的催化效率。
一种Gd、Ce离子共掺杂高效可见光催化剂BiVO4的制备方法,采用以乙二胺四乙酸为模板剂,通过溶胶凝胶反应进行制备,具体步骤如下:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥学院,未经合肥学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210961188.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。