[发明专利]一种基于修饰层的氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210962752.0 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115295629A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张磊;李东旭;王欢;于军胜 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;H01L21/42;H01L21/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 王大刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 修饰 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于修饰层的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基底；
栅极；栅极设置在基底的上侧；
绝缘层；绝缘层设置在栅极的上侧；
修饰层；修饰层设置在绝缘层的上侧；
有源层；有源层设置在修饰层的上侧；
源极、漏极；源极设置在有源层的上侧一端，漏极设置在有源层的上侧另一端。
2.根据权利要求1所述的一种基于修饰层的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，基底为玻璃基片，栅极为设置在基底上的厚度为135nm的ITO。
3.根据权利要求1所述的一种基于修饰层的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，绝缘层制备材料为PMMA。
4.根据权利要求1所述的基于修饰层的氧化物薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，源极、漏极制备材料均为铝。
5.一种基于修饰层的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
获取基底；将ITO层沉积在基底上作为栅极；
制备绝缘层；选用浓度为120mg/ml的PMMA溶液，通过溶液旋涂法将PMMA溶液设置在栅极的上侧，并在135℃温度下退火一小时；
制备修饰层；选取聚酰亚胺作为修饰试剂；将修饰试剂旋涂在绝缘层上，然后退火；并经偏振紫外光进行照射处理，然后再退火；
制备有源层；将由直流磁控溅射制备的IGZO设置在修饰层上侧；
将源极形成于有源层的上侧一端；
将漏极形成于有源层的上侧另一端。
6.根据权利要求5所述的基于修饰层的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，偏振紫外光进行照射处理包括：由PL-G500D型汞灯光源，配合254nm高通滤光片和365nm低通滤光镜以及GLP5-208型格兰激光棱镜得到的254nm的偏振紫外光进行不同方向的照射处理。
7.根据权利要求5所述的基于修饰层的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，源极、漏极均通过直流磁控溅射制备。
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