[发明专利]一种AlN和Al2O3混杂增强铜基复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210962844.9 申请日: 2022-08-11
公开(公告)号: CN115287491B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 安占涛 申请(专利权)人: 江西博钦纳米材料有限公司
主分类号: C22C1/059 分类号: C22C1/059;C22C9/00;C22C32/00;B22F1/18;B22F1/12;B22F1/142;B22F9/04;B22F3/16;B22F3/10
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 周淑歌
地址: 341006 江西省赣州市赣州*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 aln al2o3 混杂 增强 复合材料 及其 制备 方法
【说明书】:

发明属于金属基复合材料技术领域,具体涉及一种AlN和Al2O3混杂增强铜基复合材料及其制备方法。本发明提供了一种AlN和Al2O3混杂增强铜基复合材料的制备方法,包括以下步骤,将镀铜AlN颗粒、纳米级Cu2O颗粒球磨混合,与Cu‑Al合金粉、微米级Cu2O粉混合,压坯,进行预烧,复压复烧,得到AlN和Al2O3混杂增强铜基复合材料。本发明制备的复合材料的致密度可以达到98%以上;其中纳米尺寸、弥散分布且与基体共格的Al2O3颗粒为材料提供高的抗软化温度,微米尺寸、体积分数较高、且与基体界面结合良好的AlN为材料提供良好的耐磨性、热膨胀系数和导热性能。

技术领域

本发明属于金属基复合材料技术领域,具体涉及一种AlN和Al2O3混杂增强铜基复合材料及其制备方法。

背景技术

电子行业飞速发展,电子元器件必须具备更高的集成度、更快的运行速度和更大的容量,需要散出的热量也越来越多,这就对电子封装材料提出了更高的要求,既具有良好的力学性能、耐腐蚀、电绝缘性能和热循环尺寸稳定性,又要具有高的热导率、低的热膨胀系数等。铜及其合金导热导电性良好、耐腐蚀、可焊接、易成型、价格适中,一直是电子封装领域的基础材料之一。

氮化铝具有高热导率(320W/m·K),低线膨胀系数(4.84×10-6/K)和极小的密度(3.26g/cm3),因此,对于铜及其合金而言,AlN颗粒无疑是一种理想的增强体,可以很好地弥补基体的性能缺陷。然而,AlN与铜之间的润湿性差,采用常规的粉末冶金的方式制备的材料难以获得高的致密度,大量孔隙的存在导致实际制备的AlN/Cu基复合材料导热性能偏低,且复合材料的机械强度提升有限。

铜基复合材料常采用铜或铜合金粉体作为原料,最终制得的材料由硬质颗粒和铜/铜合金基体组成,铜/铜合金基体在高温条件容易发生软化,尤其是在高温和高载荷条件下,承载能力明显降低,强度和耐热性不足,在高温下容易软化变形。

发明内容

因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中铜/铜合金基体在高温条件容易发生软化,尤其是在高温和高载荷条件下,承载能力明显降低,强度和耐热性不足,在高温下容易软化变形缺陷,从而提供一种AlN和Al2O3混杂增强铜基复合材料及其制备方法。

为此,本发明提供了以下技术方案,

本发明提供了一种AlN和Al2O3混杂增强铜基复合材料的制备方法,包括以下步骤,

将镀铜AlN颗粒、纳米级Cu2O颗粒球磨混合,与Cu-Al合金粉、微米级Cu2O粉混合,得到混合粉体,然后进行压坯,预烧,复压复烧,得到AlN和Al2O3混杂增强铜基复合材料。

可选的,满足以下(1)-(8)中的至少一项:

(1)所述压坯的压力为350-600MPa;

(2)所述压坯的时间为30-60s;

(3)所述预烧的温度为868-872℃;

(4)所述预烧的时间为240-540min;

(5)所述复压的压力为450-700MPa;

(6)所述复压的时间为30-60s;

(7)所述复烧的温度为1021-1025℃;

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