[发明专利]一种碳化硅单晶中基平面位错的检测方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

沿碳化硅单晶的纵向切割，获得纵切片，其中，所述纵切片表面与所述碳化硅单晶中的一组基平面位错线的延伸方向相垂直或近似垂直；

将所述纵切片进行表面抛光和清洗处理后，放置在熔融的强碱腐蚀熔液中腐蚀，使所述纵切片中含有基平面的区域形成腐蚀坑；

观察所述纵切片的腐蚀坑形貌，其中，腐蚀坑形貌为三角锥状的则为基平面位错腐蚀坑。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，其特征在于，所述腐蚀坑包括正三角锥状腐蚀坑和偏三角锥状腐蚀坑，其中：

所述正三角锥状腐蚀坑为基平面位错线的延伸方向与所述纵切片的表面相垂直或近似垂直的基平面位错；

所述偏三角锥状腐蚀坑为基平面位错线的延伸方向与所述纵切片的表面法线夹角为60°或近似60°的基平面位错。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

将基平面位错腐蚀坑的数量除以观察视察面积，则为在该观察区域处所述碳化硅单晶中基平面位错密度。

4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，其特征在于，沿碳化硅单晶的纵向切割，包括：垂直于所述碳化硅单晶的[10-10]方向切割；

所述纵切片的表面与所述碳化硅单晶中的一组基平面位错线相垂直或近似垂直，包括：

所述纵切片表面与所述碳化硅单晶中的位错线的延伸方向为[10-10]的基平面位错相垂直或近似垂直。

5.根据权利要求1所述的碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，其特征在于，观察所述纵切片的腐蚀坑形貌，包括：

沿所述纵切片的切割方向，选取多个点观察腐蚀坑形貌，并计算各观察点内腐蚀坑的密度。

6.根据权利要求1所述的碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，其特征在于，所述熔融的强碱腐蚀熔液为熔融的氢氧化钾熔液。

7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，其特征在于，所述氢氧化钾腐蚀液的温度为430℃～470℃。