[发明专利]一种晶体管型光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体管型光电探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的栅电极(1)、栅绝缘层(2)、传输沟道层(3)、电子传输层(4)、光吸收层(5)和源漏电极(6)；

所述传输沟道层(3)包括锡锌氧化物；

所述光吸收层(5)为银锑硫薄膜。

2.如权利要求1所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述银锑硫薄膜由三元硫属化合物构成，所述三元硫属化合物为Ag_xSbS₂，其中，0.1≤x≤1。

3.如权利要求1所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述栅绝缘层(2)包括SiO₂薄膜层、Ta₂O₅薄膜层或者Al₂O₃薄膜层中的至少一种。

4.如权利要求1所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述电子传输层(4)的材质包括C60、C70或者CdS中的一种。

5.如权利要求1所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述源漏电极(6)采用银电极、铜电极或者铝电极。

6.如权利要求1所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述栅绝缘层(2)的厚度为50～300nm；

和/或所述传输沟道层(3)的厚度为5～100nm；

和/或所述电子传输层(4)的厚度为5～30nm；

和/或所述光吸收层(5)的厚度为小于250nm；

和/或所述源漏电极(6)的厚度为50～200nm。

7.如权利要求1～6任意一项所述的晶体管型光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在栅电极(1)上沉积栅绝缘层(2)；

将包括锌源和锡源的锡锌溶液旋涂至栅绝缘层表面，得到传输沟道层(3)；

在传输沟道层(3)表面沉积电子传输层(4)；

将银源、锑源和硫源加入溶剂中得到银锑硫前驱体溶液；

将所述银锑硫前驱体溶液旋涂至电子传输层(4)表面，在150～400℃温度中退火，制得银锑硫薄膜；

在所述银锑硫薄膜上沉积源漏电极(6)，得到所述晶体管型光电探测器。

8.如权利要求7所述的晶体管型光电探测器的制备方法，其特征在于，所述银锑硫前驱体溶液中银源的浓度为0.1～3mol/L、锑源的浓度为0.5～3.0mol/L、硫源的浓度为1.5～3.5mol/L。

9.如权利要求7所述的晶体管型光电探测器的制备方法，其特征在于，所述银源包括硝酸银；

和/或所述锑源包括醋酸锑；

和/或所述硫源包括硫脲；

和/或所述溶剂包括二甲基亚砜。

10.如权利要求7所述的晶体管型光电探测器的的制备方法，其特征在于，所述锡锌溶液中锌源的浓度为0.1～0.2mol/L、锡源的浓度为0.05～0.15mol/L。