[发明专利]无电流镜高精度能隙电路

权利要求书

1.一种无电流镜高精度能隙电路，其特征在于，其包含：第一差分放大器，包括第一和第二输入端和一个输出端；包括连接到所述第一差分放大器第一输出端的第一闸极端子的第一MOSFET晶体管，一第一源极端子连接的电压源，以及第一漏极端子；第一电阻串联MOSFET晶体管的第一漏极端子和所述第一差分放大器的第一输入端之间；第二差分放大器，其包括连接到第一漏极端子的第三输入端，第四输入端并连接到第四输入端子，其中，第二输出端被配置成提供第一电路的参考电压的第二输出端；第三差分放大器，其包括的第一第五输入端接到第一差分放大器的第一输入端，一个第六输入端和第三输出端连接到第六输入端子，其中，所述第三输出端子被配置为提供一个第二电路的参考电压；第四差分放大器，其包括一第七输入端接到第二差分放大器的第二输出端，第八输入端接到所述第三差分放大器的第三输出端，第四输出端接到第八输入端，其中，所述第四输出端配置提供一个能隙参照电压。

2.根据权利要求1所述的电路，还包括连接到第二MOSFET晶体管的能隙参照电路。其特征在于，其第二闸极端子接到第一差分放大器的第一输出端，第二漏端子连接到所述第一差分放大器的第二输入端。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，包括第2电阻串联连接第二漏极端和第二输入端之间。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，进一步包括能隙参照电路：具有第一发射极端连接到所述第一输入端的第一双极型晶体管，其连接到所述参考电路接地和连接到第一电极端子的第一基极端地面；具有第二发射极端连接至第二输入端，第二电极端子的第二基极端接地。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，还包括第三电阻的第一发射极端子与第一输入端串联。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，还包括：第四电阻串联连接在地与第一输入端子之间；第五电阻串联连接在地和第二输入端子之间。

7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，还包括：第六电阻器串联连接的第二输出端和第七输入端之间；第七电阻器串联连接的第三输出端和第八输入端之间。

8.一种能隙参照电路，其特征在于，其包含：第一差分放大器，包括第一和第二输入端以及第一输出端，其中第一输出端子输出经调节的输出电压，第一和第二输入的控制值的电压提供在第一和第二个输入端与第一和第二电路的参考电压；用于提供能隙参考电压，其中第三和第四输入端连接到第一差分放大器，使得第三输入端接收从第一电路参照图的电压导出的第三输入电压。第二输出端子第四输入端接收从第二电路的参考电压得到的第四输入电压。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，还包括：一第一MOSFET晶体管，包括连接到第一差分放大器，连接到电压源的第一电源终端的第一输出端的第一闸极端子，以及第一漏端；连接到所述第一MOSFET晶体管的第一漏极端子，第二端子连接到第一差分放大器第一输入端的第一电阻。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，其包括第一差分放大器，连接到电压源的第二源极端子的第一输出端的第二闸极端子；第二MOSFET晶体管和一个第二漏端子连接到所述第一差分放大器的第二输入端；根据权利范围10的能隙参照电路，还包括一个第二电阻串联连接的第二漏极端和第二输入端。