[发明专利]一种宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构及其使用方法

权利要求书

1.一种宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构，单脊基片集成波导通过该结构与同轴连接器连接，厚介质单脊基片集成波导包括介质基板，介质基板上表面设置有上层金属表面、下表面设置有下层金属表面，介质基板中设置有圆形金属柱，其特征在于，所述单脊基片集成波导上设置有两列金属化过孔，在两列金属化过孔的一端还设置有一列金属化过孔，该列金属化过孔设置在两列金属化过孔之间，且该列金属化过孔的下端为封闭状态、上端为开放状态，单脊基片集成波导的上层金属表面上设置有一列金属化盲孔；宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构设置在厚介质单脊基片集成波导上，该结构包括上层圆形缺口(5)、下层圆形缺口(6)、下层圆形金属贴片(7)和圆柱形金属柱(8)，上层圆形缺口(5)为在厚介质单脊基片集成波导的上层金属表面上开设的圆形缺口；下层圆形缺口(6)为在厚介质单脊基片集成波导的下层金属表面上开设的圆形缺口，且从该缺口的中心位置将圆柱形金属柱(8)安装到介质基板内部，在下层圆形缺口(6)中除了圆柱形金属柱(8)的位置之外设置有环形的下层圆形金属贴片(7)。

2.根据权利要求1所述的一种宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构，其特征在于，两列金属化过孔之间的距离大于设置的最小工作频率在介质基板中传播波长的二分之一。

3.根据权利要求1所述的一种宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构，其特征在于，通过调节单脊基片集成波导的金属化盲孔与下端为封闭状态的金属化过孔之间的距离来控制转换结构的阻抗匹配参数和工作频率。

4.根据权利要求1所述的一种宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构，其特征在于，圆柱形金属柱(8)的深度大于所需工作频段的中心频率在波导介质中传播的波长的四分之一。

5.根据权利要求1所述的一种宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构，其特征在于，通过调节上层圆形缺口(5)、下层圆形缺口(6)的直径大小来控制转换结构的阻抗匹配参数。

6.根据权利要求1所述的一种宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构，其特征在于，介质基板的厚度为1.27mm至3.2mm。

7.一种低宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构的使用方法，其特征在于，将权利要求1～6所述任一项一种宽带同轴到厚介质单脊基片集成波导转换结构与同轴连接器连接的时候，令厚介质单脊基片集成波导的下层金属表面与同轴连接器接触安装，且圆柱形金属柱(8)与同轴连接器内导体同轴设置，部分底部处于封闭状态的金属化过孔与同轴连接器绝缘芯接触安装，底部未处于封闭状态的金属化过孔与同轴连接器外导体接触安装。