[发明专利]半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

有源柱，所述有源柱位于所述基底上且沿第一方向和第二方向阵列排布，所述有源柱包括沟道区；

沿第二方向延伸的字线，所述字线环绕沟道区的有源柱，所述字线包括层叠的第一导电层以及第二导电层，沿所述第一方向相邻的所述第一导电层之间的间距大于沿所述第二方向相邻的所述第一导电层之间的间距；

所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向或者平行于所述基底表面的方向中的一者，所述第二方向为垂直于所述基底表面的方向或者平行于所述基底表面的方向中的另一者。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向上相邻的所述字线之间具有空气间隙，所述空气间隙沿所述第二方向延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层环绕所述有源柱的沟道区，所述第二导电层形成于所述第一导电层的表面且连接第二方向上排布的多个所述有源柱。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向相邻的所述第一导电层的间距与沿所述第二方向相邻的所述第一导电层的间距的差值范围为5nm-20nm；沿所述第一方向，所述空气间隙的厚度范围为5nm-15nm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向，沿垂直于所述基底表面的方向相邻的所述有源柱之间的间距大于沿平行于所述基底表面的方向相邻的有源柱之间的间距。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向为平行于所述基底表面的方向，沿垂直于所述基底表面的方向相邻的所述有源柱之间的间距小于沿平行于所述基底表面的方向相邻的有源柱之间的间距。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱还包括位于所述沟道区两侧的第一源漏区和第二源漏区，所述半导体结构还包括：

沿所述第一方向延伸的位线，所述位线与所述第一源漏区的有源柱连接；

电容结构，所述电容结构位于所述基底上，所述电容结构与第二源漏区的有源柱连接；第一金属接触层以及第二金属接触层，所述第一金属接触层位于所述有源柱与位线之间，所述第二金属接触层位于所述有源柱与电容结构之间。

8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成沿第一方向和第二方向阵列排布的有源柱，所述有源柱包括沟道区；形成沿第二方向延伸的字线，所述字线环绕沟道区的有源柱，所述字线包括层叠的第一导电层以及第二导电层，

沿所述第一方向相邻的所述第一导电层之间的间距大于沿所述第二方向相邻的所述第一导电层之间的间距；

所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向或者平行于所述基底表面的方向中的一者，所述第二方向为垂直于所述基底表面的方向或者平行于所述基底表面的方向中的另一者。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向；所述方法还包括：形成隔离层，所述隔离层位于所述基底表面且位于相邻的有源柱之间，沿垂直于所述基底表面的方向相邻的所述有源柱之间的间距大于平行于所述基底表面的方向相邻的有源柱之间的间距；

形成所述字线的工艺步骤包括：在所述有源柱表面形成第一导电层，所述第一导电层环绕所述有源柱的沟道区；在所述第一导电层的表面选择性生长形成第二导电层，所述第二导电层连接第二方向上排布的多个有源柱，且沿垂直于所述基底表面的方向相邻的所述第二导电层之间形成有空气间隙。