[发明专利]显示基板及显示装置在审
申请号: | 202210975508.8 | 申请日: | 2022-08-15 |
公开(公告)号: | CN115332305A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 肖邦清;杜丽丽;青海刚;杨超;任艳萍;蒋志亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底,包括显示区域,所述显示区域包括第一显示区和位于所述第一显示区至少一侧的第二显示区;
多个第一发光元件,位于所述第一显示区;
多个第二发光元件、多个第一像素电路和多个第二像素电路,位于所述第二显示区;所述多个第一像素电路中的至少一个第一像素电路与所述多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接,配置为向所述至少一个第一发光元件提供驱动信号;所述多个第二像素电路中的至少一个第二像素电路与所述多个第二发光元件中的至少一个第二发光元件电连接,配置为向所述至少一个第二发光元件提供驱动信号;
多条第一数据线和多条第二数据线,位于所述第二显示区;
所述第一数据线与多个第一像素电路和多个第二像素电路电连接,所述第二数据线与多个第二像素电路电连接;
所述第一数据线电连接的所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的大小不同于所述第二数据线电连接的所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的大小。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一数据线电连接的所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的大小大于所述第二数据线电连接的所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的大小。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一数据线电连接的所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的第一电容极板和第二电容极板的交叠面积,大于所述第二数据线电连接的所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的第一电容极板和第二电容极板的交叠面积。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一数据线电连接的所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的第一电容极板和所述第二数据线电连接的所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的第一电容极板的面积相同;
所述第一数据线电连接的所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的第二电容极板上开设的镂空区域的面积小于所述第二数据线电连接的所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的第二电容极板上开设的镂空区域的面积,使得所述第一数据线电连接的所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的第一电容极板和第二电容极板的交叠面积,大于所述第二数据线电连接的所述多个第二像素电路中的至少一个的存储电容的第一电容极板和第二电容极板的交叠面积。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述第二显示区包括:沿第一方向与所述第一显示区相邻的至少一个第一子显示区以及沿第二方向与所述第一显示区相邻的第二子显示区,所述第一方向与第二方向交叉;
所述第一数据线电连接的多个第一像素电路位于所述第一子显示区,所述第一数据线电连接的多个第二像素电路位于所述第二子显示区。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述第一数据线至少包括:第一子数据线和第二子数据线;所述第一子数据线和所述第二子数据线通过第一数据转接线电连接;所述第一子数据线与所述第二子显示区内沿所述第二方向排布的多个第二像素电路电连接,所述第二子数据线与所述第一子显示区内沿所述第二方向排布的多个第一像素电路电连接;所述第一数据转接线位于所述第二显示区内。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述衬底还包括:位于所述显示区域外围的边框区域,所述第二显示区还包括:在所述第二方向上位于所述第一显示区远离所述第二子显示区一侧的第三子显示区;
所述第一数据线还包括:第三子数据线,所述第二子数据线通过第二数据转接线与所述第三子数据线电连接;所述第三子数据线与所述第三子显示区内沿所述第二方向排布的多个第二像素电路电连接;所述第二数据转接线位于所述边框区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的