[发明专利]具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底(10)以及依次层叠在所述衬底(10)上的半导体层(20)、电流阻挡层(30)和电流扩展层(40)；

所述电流阻挡层(30)的侧面为斜面，所述电流阻挡层(30)包括层叠在所述半导体层(20)上的多个子层(31)，所述多个子层(31)在同一种刻蚀溶液中具有不同的刻蚀速率，且相邻的子层(31)中，远离所述衬底(10)的子层(31)的刻蚀速率大于靠近所述衬底(10)的子层(31)的刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个子层(31)的材料均不相同，或者，所述多个子层(31)的材料均相同。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述多个子层(31)的材料分别为Al₂O₃、SiO₂、Ga₂O₃中的至少一种。

4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述电流阻挡层(30)的侧面与所述半导体层(20)远离所述衬底(10)的表面所成锐角不超过45°。

5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述电流扩展层(40)为ITO层、GZO层、ITZO层、ZnO层、NiAu层中的至少一种。

6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管，其特征在于，还包括第一电极(51)和第二电极(52)，所述第一电极(51)位于所述半导体层(20)上，所述第二电极(52)位于所述电流扩展层(40)上。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，还包括钝化层(60)，所述钝化层(60)位于所述第一电极(51)、所述第二电极(52)、所述半导体层(30)和所述电流扩展层(40)的至少部分表面。

8.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底(10)；

在所述衬底(10)上形成半导体层(20)；

在所述半导体层(20)上形成电流阻挡层(30)，所述电流阻挡层(30)包括层叠在所述半导体层(20)上的多个子层(31)，所述电流阻挡层(30)的侧面为斜面，所述多个子层(31)在同一种刻蚀溶液中具有不同的刻蚀速率，且相邻的子层(31)中，远离所述衬底(10)的子层(31)的刻蚀速率大于靠近所述衬底(10)的子层(31)的刻蚀速率；

在所述电流阻挡层(30)上形成电流扩展层(40)。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体层(20)上形成电流阻挡层(30)，包括：

在所述半导体层(20)上依次形成所述多个子层(31)，所述多个子层(31)的材料均不相同，且按生长的先后顺序，所述多个子层(31)的材料在同一种刻蚀溶液中的刻蚀速率依次增加；

对所述多个子层(31)进行刻蚀，形成所述电流阻挡层(30)。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体层(20)上形成电流阻挡层(30)，包括：

在所述半导体层(20)上依次形成所述多个子层(31)，所述多个子层(31)的材料均相同，且按生长的先后顺序，所述多个子层(31)的生长温度依次降低；

对所述多个子层(31)进行刻蚀，形成所述电流阻挡层(30)。