[发明专利]一种厚电极及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202210977403.6 申请日: 2022-08-15
公开(公告)号: CN115207268A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 孙伟兵;刘范芬;苑丁丁;张林 申请(专利权)人: 湖北亿纬动力有限公司
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M4/13;H01M4/139;H01M10/0525
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 刘二艳
地址: 448000 湖北省荆*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 电极 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种厚电极的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

(1)将电极浆料涂覆于电极集流体表面,烘烤,得到半固态涂层厚电极;

(2)对步骤(1)所述半固态涂层厚电极中的半固态涂层进行微米级开槽处理,烘干,辊压,得到所述厚电极。

2.根据权利要求1所述的厚电极的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述半固态涂层厚电极的固含量为70~90%。

3.根据权利要求1或2所述的厚电极的制备方法,其特征在于,所述厚电极的面密度为100~1000g/m2

优选地,所述厚电极的电极涂层厚度为100~1000μm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的厚电极的制备方法,其特征在于,所述厚电极包括正极厚电极和/或负极厚电极;

优选地,所述正极厚电极的半固态涂层的固含量为80~90%;

优选地,所述负极厚电极的半固态涂层的固含量为70~80%;

优选地,所述负极厚电极为硅基负极厚电极。

5.根据权利要求1-4任一项所述的厚电极的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述微米级开槽处理为阵列式微米级开槽处理。

6.根据权利要求5所述的厚电极的制备方法,其特征在于,经过所述阵列式微米级开槽处理后,每个槽的宽度为50~200μm;

优选地,经过所述阵列式微米级开槽处理后,槽的深度为所述半固态涂层的厚度的10~100%;

优选地,经过所述阵列式微米级开槽处理后,槽与槽之间的间隙为50~500μm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的厚电极的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述微米级开槽处理包括抽吸式开槽处理和/或刮涂式开槽处理,优选为抽吸式开槽处理;

优选地,所述抽吸式开槽处理为真空抽吸式开槽处理;

优选地,所述真空抽吸式开槽处理的真空度为-10~-30kPa。

8.根据权利要求1-7任一项所述的厚电极的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

(1)将电极浆料涂覆于电极集流体表面,烘烤,得到固含量为70~90%的半固态涂层厚电极;

(2)对步骤(1)所述半固态涂层厚电极中的半固态涂层进行阵列式微米级开槽处理,在半固态涂层表面得到宽度为50~200μm、深度为所述半固态涂层的厚度的10~100%的槽,槽与槽之间的间隙为50~500μm,烘干,辊压,得到所述厚电极。

9.一种厚电极,其特征在于,所述厚电极由如权利要求1-8任一项所述的厚电极的制备方法制备得到。

10.一种锂离子电池,其特征在于,所述锂离子电池包括如权利要求9所述的厚电极。

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