[发明专利]层叠陶瓷电容器在审
申请号: | 202210977986.2 | 申请日: | 2022-08-15 |
公开(公告)号: | CN115881434A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 森昭人;若岛诚宽;渡边翔;圆道匠 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/008;H01G4/232 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘慧群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 陶瓷 电容器 | ||
1.一种层叠陶瓷电容器,具备:
层叠体,具备:内层部,将内部电极层和内部电介质层交替地层叠多个,且层叠方向上的两端为内部电极层;以及外部电介质层,覆盖所述内层部;和
两个外部电极,分别配置在所述层叠体中的作为与所述层叠方向交叉的长度方向上的两侧的面的端面,
所述内部电介质层以及所述外部电介质层包含颗粒,
所述内部电介质层包含的颗粒的平均粒径与所述外部电介质层包含的颗粒的平均粒径之差为100nm以下。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述颗粒的粒径为140nm以上且270nm以下。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述内部电介质层以及所述外部电介质层包含Si以及Ti,
所述内部电介质层的Si相对于Ti的摩尔比高于所述外部电介质层的Si相对于Ti的摩尔比。
4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述内部电介质层包含Si以及Ti,
所述内部电介质层中的Si相对于Ti的摩尔比为0.8mol%以上且1.4mol%以下。
5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述外部电介质层包含Si以及Ti,
所述外部电介质层中的Si相对于Ti的摩尔比为0.8mol%以下。
6.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述外部电介质层具备分别配置在所述内层部中的所述层叠方向上的两侧的外层部,
所述外层部包含Si以及Ti,所述外层部中的Si相对于Ti的摩尔比为0.5mol%以下。
7.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述外部电介质层具备分别配置在所述内层部中的与所述层叠方向以及所述长度方向交叉的宽度方向上的两侧的侧方余量部,
所述侧方余量部包含Si以及Ti,所述侧方余量部的Si相对于Ti的摩尔比为0.5mol%以下。
8.根据权利要求1至权利要求7中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述外部电介质层具备分别配置在所述内层部中的与所述层叠方向以及所述长度方向交叉的宽度方向上的两侧的侧方余量部,
所述侧方余量部在所述宽度方向上设置有多层,最外侧的所述侧方余量部的Si相对于Ti的摩尔比多于最内侧的所述侧方余量部的Si相对于Ti的摩尔比。
9.根据权利要求1至权利要求8中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述内部电介质层的厚度为0.4μm以上且0.5μm以下。
10.根据权利要求1至权利要求9中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述内部电介质层的厚度为0.4μm以上且0.45μm以下。
11.根据权利要求1至权利要求10中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述内部电极层的厚度为0.3μm以上且0.4μm以下。
12.根据权利要求1至权利要求11中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述内部电极层的厚度为0.3μm以上且0.35μm以下。
13.根据权利要求1至权利要求12中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述外部电介质层包含Ni。
14.根据权利要求1至权利要求13中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,
在所述层叠方向上配置有多层的所述内部电极层的、与所述层叠方向以及所述长度方向交叉的宽度方向上的端部的位置的偏移在5μm以内。
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