[发明专利]半导体结构以及晶圆减薄的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

硅衬底，所述硅衬底包括相对的正面和背面，且所述硅衬底的所述背面具有改性层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述改性层内掺杂有碳离子或氢离子，其中，所述改性层内掺杂有碳离子，所述碳离子的浓度范围为1×10¹⁹atom/cm³～1×10²¹atom/cm³；或者，所述改性层内掺杂有氢离子，所述氢离子的浓度范围为1×10¹⁹atom/cm³～1×10²¹atom/cm³。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述改性层的厚度为10nm～100nm。

4.一种晶圆减薄的方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面；

对所述晶圆进行离子注入工艺，以在所述晶圆内形成改性层；

自所述背面向所述正面方向减薄所述晶圆至所述改性层。

5.根据权利要求4所述的晶圆减薄的方法，所述对所述晶圆进行离子注入工艺，包括：

自所述晶圆的正面向所述背面进行所述离子注入工艺；

在形成所述改性层之后，还包括：在所述晶圆的正面形成有源器件和/或无源器件。

6.根据权利要求4所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行离子注入工艺之前，还包括：

在所述晶圆的正面形成有源器件和/或无源器件；

所述对所述晶圆进行离子注入工艺，包括：

自所述背面向所述正面进行所述离子注入工艺。

7.根据权利要求5或6所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，在自所述背面向所述正面方向减薄所述晶圆至所述改性层之前，还包括：提供基板；将所述晶圆的正面键合至所述基板上。

8.根据权利要求4所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，减薄所述晶圆采用的减薄工艺对所述晶圆的所述背面的去除速率大于对所述改性层的去除速率。

9.根据权利要求8所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述改性层的硬度大于所述晶圆在所述改性层与所述背面之间的硬度。

10.根据权利要求9所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述离子注入工艺采用的离子包括碳离子。

11.根据权利要求6所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，在对所述晶圆进行离子注入工艺之前，还包括:自所述背面向所述正面方向减薄所述晶圆，其中，减薄后所述晶圆的厚度范围为20um～30um。

12.根据权利要求5，10或11所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述离子注入工艺的工艺参数包括：注入能量范围为2000KeV～20000KeV，注入剂量范围为1×10¹⁴atom/cm³～1×10¹⁶atom/cm³。

13.根据权利要求4所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述离子注入工艺中，形成的所述改性层包括朝向所述背面的气泡层。

14.根据权利要求13所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述离子注入工艺采用的离子包括氢离子。